Au fur et à mesure de la baisse de la température, le silicium fondu se reforme par épitaxie de la phase liquide et ce faisant des atomes de dopant sont incorporés dans le réseau de silicium redéveloppé.
La température est ensuite abaissée dans le sens de la température eutectique pour permettre au silicium fondu de se reformer par épitaxie de la phase liquide et ce faisant, d'incorporer des atomes de dopant dans son réseau redéveloppé.
Requêtes fréquentes anglais :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
Requêtes fréquentes français :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
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