Dictionnaire anglais - français

électronique et électrotechnique - acta.es iate.europa.eu
électronique et électrotechnique - iate.europa.eu

Publications scientifiques

Preparation et étude de diodes laser a gainassb-gaalassb fonctionnant en continu à 80k
...($p$)/Ga$_{0.73}$AI$_{0.27}$AS$_{0.02}$Sb$_{0.98}$ ($n$) have been grown by liquid phase epitaxy on GaSb(100)n substrate....
...79$.Des doubles hétérojonctions (DH) Ga$_{0,73}$AI$_{0,27}$As$_{0,02}$Sb$_{0,98}$ ($p$)/Ga$_{0,83}$ln$_{0,17}$As$_{0,15}$ Sb$_{0,85}$ ($p$)/Ga$_{0,73}$AI$_{0,27}$AS$_{0,02}$Sb$_{0,98}$ ($n$) ont été obtenues par épitaxie en phase liquide sur substrat GaSb (100)n....
général - core.ac.uk -
Photodétecteurs à base de ga1-x alx sb dans la gamme 1,3-1,6 μm
... The Ga1-xAlxSb ternary alloy was grown by liquid phase epitaxy on GaSb substrates....
... L'alliage ternaire Ga1-xAlxSb était fabriqué par épitaxie en phase liquide sur des substrats de GaSb....
général - core.ac.uk -
Caractérisation au-dessous du seuil de doubles hétérostructures lasers gainassb/gaalassb émettant vers 2,37 $\mu$m
...Ga$_{0.77}$In$_{0.23}$As$_{0.20}$Sb$_{0.80}$/Ga$_{0.53}$Al$_{0.47}$As$_{0.04}$Sb$_{0.96}$ double-heterostructures grown by liquid phase epitaxy on GaSb (100) oriented....
...K.Des diodes lasers planars à ruban à guidage par le gain ont été préparées à partir de la double hétérostructure Ga$_{0,77}$In$_{0,23}$As$_{0,20}$Sb$_{0,80}$/Ga$_{0,53}$Al$_{0,47}$As$_{0,04}$Sb$_{0,96}$ obtenue par épitaxie en phase liquide sur substrat GaSb orienté (100)....
général - core.ac.uk -
Effect of compensation on recombination into si doped (ga, al)as
... obtained by double liquid phase epitaxy of (Ga, Al)As on GaAs substrate....
... Dans des couches homogènes dopées au silicium nous avons obtenu les conditions de fort rendement lumineux et de longue durée de vie observées dans les diodes électroluminescentes réalisées par double épitaxie en phase liquide de (Ga, Al)As sur substrat GaAs....
général - core.ac.uk -
Hétérojonctions znte/gaalsb préparées par épitaxie en phase liquide
Heterojunctions (p) ZnTe/(n) Ga1-xAl xSb were grown by liquid phase epitaxy of Te doped Ga1-xAl xSb onto P doped ZnTe substrates, with x varying from 0 to 0.60....
...heterojunction.Des hétérojonctions (p) ZnTe/(n) Ga1-xAl xSb ont été obtenues par épitaxie en phase liquide de Ga1- xAlxSb dopé au tellure sur substrat ZnTe dopé au phosphore, la concentration en AlSb des couches épitaxiées variant de 0 à 0,60....
général - core.ac.uk -
Présentation des recherches: minus solvit qui tardius solvit... – 1:102: Definitions (3)), alors que les principes UNIDROIT de 1994 et les EPL (European Principles of Contract Law), également connus sous le nom de projet Lando (commission on european contract law, commissionnés par l’Union européenne), adoptent la...
général - core.ac.uk - PDF: orbi.uliege.be

Synonymes et termes associés anglais

Exemples anglais - français

électronique et électrotechnique / production, technologie et recherche - iate.europa.eu

Traductions en contexte anglais - français

As the temperature is decreased, the molten silicon reforms through liquid-phase epitaxy and while so doing dopant atoms are incorporated into the re-grown silicon lattice.

Au fur et à mesure de la baisse de la température, le silicium fondu se reforme par épitaxie de la phase liquide et ce faisant des atomes de dopant sont incorporés dans le réseau de silicium redéveloppé.

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The temperature is then decreased towards the eutectic temperature permitting molten silicon to reform through liquid-phase epitaxy and while so doing incorporate dopant atoms into its regrown lattice.

La température est ensuite abaissée dans le sens de la température eutectique pour permettre au silicium fondu de se reformer par épitaxie de la phase liquide et ce faisant, d'incorporer des atomes de dopant dans son réseau redéveloppé.

électronique et électrotechnique - wipo.int


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