L'invention concerne un FET micro-onde à faible capacité de jonction Schottky ou capacité de jonction PN, la jonction étant faible vis-à-vis de l'électricité statique.
Un transistor à effet de champ (FET) à ondes ultracourtes est faible du point de vue de sa capacité de jonction Schottky intrinsèque ou de sa capacité de jonction PN intrinsèque, ces jonctions étant faibles par rapport à l'électricité statique.
En plus de ce qui précède, les procédés et structures de l'invention n'affectent pas la capacité de jonction de la structure du fait que la superficie de jonction reste inchangée.
L'invention concerne un thyristor de protection contre les surtensions présentant une capacité de jonction réduite et pouvant donc être utilisé dans des applications à large bande.
Au lieu de venir buter contre un puits, le substrat légèrement dopé vient buter contre la région dopée de manière à minimiser la capacité de jonction de la diode.
Par conséquent, la capacitance (condensateur) n'est pas influencée par la capacitance de jonction entre les couches semi-conductrices présentant des types de conduction différents.
La réduction de la surface de la jonction, ainsi que la capacitance de la jonction, sont obtenues en subdivisant la jonction en une pluralité de jonctions plus petites, ou sous-jonctions (22a, 22b).
La région active (310) ou région intrinsèque du transistor bipolaire à provoquer un effet capacitif de jonction au niveau de la structure résultante.
Capacitance (C): Egalement appelé la capacitance de jonction, est associée au temps de montée de la photodiode.
La réduction de la capacitance de jonction à la fois dans des transistors nFET et pFET peut être obtenue simultanément avec les mêmes étapes de processus.
La borne d'entrée positive de l'amplificateur totalement différentiel (A0) est montée avec le condensateur supplémentaire (Ca) dont la capacité est sensiblement égale à la capacité de la jonction de la photodiode.
L'invention concerne des procédés de fabrication de régions de diffusion possédant des profils de concentration raides au sein de dispositifs MOS, tandis que la dégradation de la capacitance de jonction est minimisée.
Pour les mesures de la capacité de la jonction, une plaquette de calibrage avec une résistance de feuille connue est utilisée pour obtenir des signaux de phototension de référence.
La fréquence de résonance déterminée par la capacité parasite et la capacité de la jonction de l'inducteur (7) et du dispositif (1) est pratiquement égale à la fréquence limite supérieure de la bande de fréquence du récepteur optique.
Ainsi, la capacitance de jonction de la diode protectrice d'entrée ne subit aucune augmentation due à la structure de la diode (40).
Cela donne par ailleurs une courbe de distribution des impuretés en pente douce, une réduction de la capacité de la jonction et une amélioration de la rigidité diélectrique des transistors MOS.
Ainsi, la diffusion de bore de la couche de base vers la couche émetteur est éliminée, et la capacité (CBE) de la jonction base-émetteur est réduite.
Les dispositifs actifs (10) ainsi formés ne requièrent qu'une zone minimale d'isolation, présentent une tension élevée de seuil de champ, une faible capacitance de jonction et un effet de corps minime.
Ainsi, la capacitance de jonction du transistor peut être réduite à un minimum et une tension peut être maîtrisée correctement et maintenue à un niveau fixe.
De plus, les concentrations de dopage de la couche de réception de lumière et de la couche de multiplication peuvent être diminuées, permettant ainsi une réduction de la capacitance de jonction de la diode et permettant un fonctionnement à haute vitesse.
Requêtes fréquentes anglais :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
Requêtes fréquentes français :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
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