Ce dernier renferme une couche de piégeage d'hydrogène, laquelle est formée par implantation d'ions à travers la surface frontale du substrat de dispositif.
Le composé piègeur d'hydrogène de la présente invention est efficace pour piéger l'hydrogène tant au sein d'un matériau que libre.
Requêtes fréquentes anglais :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
Requêtes fréquentes français :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
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