Une première borne de gâchette (Gs) est adjacente à la borne source et une seconde borne de gâchette (Gd) est adjacente à la borne de drain.
L'invention concerne un circuit d'attaque de gâchette (10a) destiné à exciter une borne de gâchette (G) d'un transistor de puissance (12a).
Une borne d'entrée (IN) est connectée à une gâchette du transistor PMOS (MP11) et à des gâchettes des transistors NMOS (MN11, MN12).
Une pompe de charge (126) entraîne la borne de gâchette du commutateur à une valeur supérieure à la tension de la borne positive.
Dans le premier transistor (Tr1), une borne de gâchette de celui-ci et une première borne de conduction de celui-ci sont raccordées à la première borne d'entrée (11).
La borne de grille du transistor MOS M4 est une borne IN et la borne de grille du transistor MOS M5 est une borne IN-.
La borne de grille du transistor MOS M4 est une borne IN et la borne de grille du transistor MOS M5 est une borne IN_.
Le commutateur bidirectionnel (2) comporte une première borne de grille (G1), une seconde borne de grille (G2), une première borne ohmique (S1), et une seconde borne ohmique (S2).
La borne de drain, la borne de source et la borne de grille du deuxième transistor MOS sont respectivement raccordées à la borne de grille, à la borne de source et à la borne de drain du premier transistor MOS.
Chaque interrupteur à semiconducteur comprend une première borne en tant qu'anode, une deuxième borne et une borne de grille.
Chaque borne de grille d"un transistor à tester est connectée à une source de tension de grille, de façon que la tension de grille à chaque borne de grille peut être mesurée et réglée de manière individuelle.
La borne de grille du quatrième transistor (114) est reliée à la borne de grille du troisième transistor (113) et la tension d'accord est appliquée en entrée au deux bornes de grilles.
Le MOSFET comporte une borne de drain reliée à la borne de sortie, et une borne de grille reliée à la borne de terre.
Le second transistor peut comprendre une seconde borne de source, une seconde borne de drain, et une seconde borne de grille.
Le premier transistor peut comprendre une première borne de source, une première borne de drain, et une première borne de grille.
Le circuit d'attaque de grille (16) est connecté à une borne de grille pour les premiers transistors de commutation (11d) et le CI d'attaque de grille (15) est connecté à une borne de grille pour les seconds transistors de commutation (11b, 11c, 11e).
Les premières régions grille (G11, G12) de toutes les cellules sont interconnectées à une première borne grille commune (VG1), et les secondes régions grille (G21, G22) de toutes les cellules sont interconnectées à une seconde borne grille commune (VG2).
Un circuit comprend un premier transistor ayant une première borne de grille, une première borne de source et une première borne de drain.
Le transistor à effet de champ à jonction comprend une borne de grille de commande et une première et seconde borne de source/drain.
Une capacité (C1) est formée entre la borne de grille et la borne de source du transistor (T2).
Requêtes fréquentes anglais :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
Requêtes fréquentes français :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
Traduction Translation Traducción Übersetzung Tradução Traduzione Traducere Vertaling Tłumaczenie Mετάφραση Oversættelse Översättning Käännös Aistriúchán Traduzzjoni Prevajanje Vertimas Tõlge Preklad Fordítás Tulkojumi Превод Překlad Prijevod 翻訳 번역 翻译 Перевод