Dictionnaire anglais - français

électronique et électrotechnique - iate.europa.eu
A first gate terminal (Gs) is adjacent to the source terminal and a second gate terminal (Gd) is adjacent to the drain terminal.

Une première borne de gâchette (Gs) est adjacente à la borne source et une seconde borne de gâchette (Gd) est adjacente à la borne de drain.

électronique et électrotechnique - wipo.int
A gate drive circuit (10a) to drive a gate terminal (G) of a power transistor (12a).

L'invention concerne un circuit d'attaque de gâchette (10a) destiné à exciter une borne de gâchette (G) d'un transistor de puissance (12a).

électronique et électrotechnique - wipo.int
An input terminal (IN) is connected to a gate terminal of the p-MOS transistor (MP11) and gate terminals of the n-MOS transistors (MN11, MN12).

Une borne d'entrée (IN) est connectée à une gâchette du transistor PMOS (MP11) et à des gâchettes des transistors NMOS (MN11, MN12).

électronique et électrotechnique - wipo.int
A charge pump (126) drives the gate terminal of the switch above the positive terminal voltage.

Une pompe de charge (126) entraîne la borne de gâchette du commutateur à une valeur supérieure à la tension de la borne positive.

électronique et électrotechnique - wipo.int
In the first transistor (Tr1), a gate terminal thereof and a first conduction terminal thereof are connected to the first input terminal (11).

Dans le premier transistor (Tr1), une borne de gâchette de celui-ci et une première borne de conduction de celui-ci sont raccordées à la première borne d'entrée (11).

informatique et traitement des données - wipo.int
Inrush current suppression circuit and method for controlling when a load may be fully energized... The gate voltage magnitude on a gate terminal of the FET is varied, whereby current flow through the FET is increased while current flow through the current limiting resistor is simultaneously decreased....
Extraction automatique d'indices géométriques pour la préhension d'outils en ergonomie virtuelle... Des indices de préhension sont finalement extraits des régions identifiées, y compris la tête de l'outil qui fournit une direction de travail liée à la tâche, de même que le manche ou la gâchette, le cas échéant....
général - core.ac.uk - PDF: hdl.handle.netgénéral - core.ac.uk - PDF: espace.etsmtl.ca
Low voltage graphene fet based pressure sensor... In this configuration, the piezopotential generated across the AlN capacitor, as a result of applied pressure, appears at the gate terminal of GFET and modulates the channel current....
Dynamic control of photoresponse in zno-based thin-film transistors in the visible spectrum... Photoresponse to visible light is controlled by the appliedvoltage bias at the gate terminal
 PDF: core.ac.uk

Traductions en contexte anglais - français

The gate terminal of MOS transistor M4 is an IN terminal and the gate terminal of MOS transistor M5 is an IN-terminal.

La borne de grille du transistor MOS M4 est une borne IN et la borne de grille du transistor MOS M5 est une borne IN-.

électronique et électrotechnique - wipo.int
The gate terminal of MOS transistor M4 is an IN terminal and the gate terminal of MOS transistor M5 is an IN_ terminal.

La borne de grille du transistor MOS M4 est une borne IN et la borne de grille du transistor MOS M5 est une borne IN_.

électronique et électrotechnique - wipo.int
The bidirectional switch (2) has a first gate terminal (G1), a second gate terminal (G2), a first ohmic terminal (S1), and a second ohmic terminal (S2).

Le commutateur bidirectionnel (2) comporte une première borne de grille (G1), une seconde borne de grille (G2), une première borne ohmique (S1), et une seconde borne ohmique (S2).

industries nucléaire et électrique - wipo.int
The drain terminal of said second MOS transistor is connected to the gate terminal, its source terminal to the source terminal and its gate terminal to the drain terminal of the first MOS transistor.

La borne de drain, la borne de source et la borne de grille du deuxième transistor MOS sont respectivement raccordées à la borne de grille, à la borne de source et à la borne de drain du premier transistor MOS.

industries nucléaire et électrique - wipo.int
Each semiconductor switch includes a first terminal anode, a second terminal and a gate terminal.

Chaque interrupteur à semiconducteur comprend une première borne en tant qu'anode, une deuxième borne et une borne de grille.

industries nucléaire et électrique - wipo.int
Every gate terminal of a transistor to be tested is coupled to a gate voltage source in such a manner that the gate voltage can be measured and adjusted individually on every gate terminal.

Chaque borne de grille d"un transistor à tester est connectée à une source de tension de grille, de façon que la tension de grille à chaque borne de grille peut être mesurée et réglée de manière individuelle.

industrie mécanique - wipo.int
The gate terminal of the fourth transistor (114) is connected to the gate terminal of the third transistors (113), and the tuning voltage is inputted to both gate terminals.

La borne de grille du quatrième transistor (114) est reliée à la borne de grille du troisième transistor (113) et la tension d'accord est appliquée en entrée au deux bornes de grilles.

électronique et électrotechnique - wipo.int
The MOSFET includes a drain terminal connected to the output terminal, a gate terminal and a source terminal connected to the ground terminal.

Le MOSFET comporte une borne de drain reliée à la borne de sortie, et une borne de grille reliée à la borne de terre.

électronique et électrotechnique - wipo.int
The second transistor can comprise a second source terminal, a second drain terminal, and a second gate terminal.

Le second transistor peut comprendre une seconde borne de source, une seconde borne de drain, et une seconde borne de grille.

électronique et électrotechnique - wipo.int
The first transistor can comprise a first source terminal, a first drain terminal, and a first gate terminal.

Le premier transistor peut comprendre une première borne de source, une première borne de drain, et une première borne de grille.

électronique et électrotechnique - wipo.int
The gate driver circuit (16) is connected to a gate terminal for the first switch transistors (11d), and the gate driver IC (15) is connected to a gate terminal for the second switch transistors (11b, 11c, 11e).

Le circuit d'attaque de grille (16) est connecté à une borne de grille pour les premiers transistors de commutation (11d) et le CI d'attaque de grille (15) est connecté à une borne de grille pour les seconds transistors de commutation (11b, 11c, 11e).

communication - wipo.int
The first gate regions (G11, G12) of all cells are interconnected to a common first gate terminal (VG1), and the second gate regions (G21, G22) of all cells are interconnected to a common second gate terminal (VG2).

Les premières régions grille (G11, G12) de toutes les cellules sont interconnectées à une première borne grille commune (VG1), et les secondes régions grille (G21, G22) de toutes les cellules sont interconnectées à une seconde borne grille commune (VG2).

électronique et électrotechnique - wipo.int
A circuit includes a first transistor having a first gate terminal, a first source terminal, and a first drain terminal.

Un circuit comprend un premier transistor ayant une première borne de grille, une première borne de source et une première borne de drain.

électronique et électrotechnique - wipo.int
The JFET includes a control gate terminal and a first and a second source/drain terminal.

Le transistor à effet de champ à jonction comprend une borne de grille de commande et une première et seconde borne de source/drain.

électronique et électrotechnique - wipo.int
A capacitance (C1) is formed between the gate terminal and source terminal of the transistor (T2).

Une capacité (C1) est formée entre la borne de grille et la borne de source du transistor (T2).

communication - wipo.int


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