Exemples anglais - français

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Traductions en contexte anglais - français

Provided is a method of manufacturing a

gate stacked

structure with sacrificial metal deoxygenated sidewalls (240).

L'invention concerne un procédé de fabrication d'une structure empilée de grilles avec des parois latérales désoxygénées de métal sacrificiel (240).

électronique et électrotechnique - wipo.int
By doping the first metal gate layer (112) and annealing the gate stacked layer during the manufacturing process, the effective work function of the N-type MOSFET can be adjusted.

Par dopage de la première couche de grille métallique (112) et recuit de la couche empilée de grille pendant le procédé de fabrication, on peut ajuster la fonction de travail efficace du transistor MOSFET de type N.

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A gate electrode stack surrounds the plurality of vertically stacked nanowires.

Un empilement d'électrode de grille entoure la pluralité de nanofils empilés verticalement.

électronique et électrotechnique - wipo.int
The first amorphous film is stacked directly on the gate insulating film.

Le premier film amorphe est empilé directement sur le film isolant de grille.

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A stacked silicon-germanium nanowire structure and a gate-all-around transistor comprising the stacked silicon-germanium nanowire structure are also disclosed.

Une structure de nanofil de silicium-germanium empilée et un transistor pourvu d'une grille tout autour comprenant la structure de nanofil de silicium-germanium empilée sont également décrits.

électronique et électrotechnique - wipo.int
The limiter of the invention uses as a diode a stacked gate thin film transistor (TFT) including a floating gate.

Le limiteur de l’invention utilise en tant que diode un transistor film mince (TFT) stacked gate incluant une grille flottante.

informatique et traitement des données - wipo.int
The stacked gate structure is insulated from the select gate by a layer of an insulating material (19, 35) that is applied to the select gate.

Cette structure de portes superposées est isolée de la porte de sélection par une couche de matériau isolant (19, 35) appliquée sur la porte de sélection.

informatique et traitement des données - wipo.int
The thin transistor comprises a semiconductor layer, a gate insulating film, and a gate electrode stacked in this order on a substrate.

Le transistor à film mince comprend une couche semi-conductrice, un film isolant de grille et une électrode de grille superposés dans cet ordre sur un substrat.

électronique et électrotechnique - wipo.int
The gate (32) and the gate line (31) comprise a first transparent conductive material (13) and a grid metal material stacked sequentially.

La grille (32) et la ligne de grille (31) comprennent un premier matériau conducteur transparent (13) et un matériau de métal grillagé empilé séquentiellement.

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Stacked gate structures (408A,480B,480C) for a NAND string are created on a substrate.

L'invention porte sur des structures de porte empilées pour une chaîne NAND qui sont créées sur un substrat.

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The stacked gate is covered by a barrier layer which also covers the insulative spacers.

Ce contact peut comporter du tungstène, La grille étagée est recouverte d'une couche d'arrêt qui recouvre également les éléments de séparation isolants.

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In a stacked gate floating gate transistor according to the invention, a conductive spacer (24) is used at both sides of the stack.

Dans un transistor à grille flottante et à grille empilée selon l'invention, un élément d'espacement conducteur (24) est utilisé sur les deux côtés de la pile.

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A stacked contact can be disposed on the dielectric layer and a gate contact is disposed on an exposed portion of the gate.

Un contact empilé peut être disposé sur la couche conductrice et un contact de grille est disposé sur une partie exposée de la grille.

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Provided is a method of manufacturing a gate stacked structure with sacrificial metal deoxygenated sidewalls (240).

L'invention concerne un procédé de fabrication d'une structure empilée de grilles avec des parois latérales désoxygénées de métal sacrificiel (240).

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Source implantations are performed at a first implantation angle to areas between the stacked gate structures.

Des implantations sources sont effectuées au niveau d'un premier angle d'implantation sur des zones situées entre les structures de porte empilées.

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