L'invention concerne un procédé de fabrication d'une structure empilée de grilles avec des parois latérales désoxygénées de métal sacrificiel (240).
Par dopage de la première couche de grille métallique (112) et recuit de la couche empilée de grille pendant le procédé de fabrication, on peut ajuster la fonction de travail efficace du transistor MOSFET de type N.
Un empilement d'électrode de grille entoure la pluralité de nanofils empilés verticalement.
Le premier film amorphe est empilé directement sur le film isolant de grille.
Une structure de nanofil de silicium-germanium empilée et un transistor pourvu d'une grille tout autour comprenant la structure de nanofil de silicium-germanium empilée sont également décrits.
Le limiteur de l’invention utilise en tant que diode un transistor film mince (TFT) stacked gate incluant une grille flottante.
Cette structure de portes superposées est isolée de la porte de sélection par une couche de matériau isolant (19, 35) appliquée sur la porte de sélection.
Le transistor à film mince comprend une couche semi-conductrice, un film isolant de grille et une électrode de grille superposés dans cet ordre sur un substrat.
La grille (32) et la ligne de grille (31) comprennent un premier matériau conducteur transparent (13) et un matériau de métal grillagé empilé séquentiellement.
L'invention porte sur des structures de porte empilées pour une chaîne NAND qui sont créées sur un substrat.
Ce contact peut comporter du tungstène, La grille étagée est recouverte d'une couche d'arrêt qui recouvre également les éléments de séparation isolants.
Dans un transistor à grille flottante et à grille empilée selon l'invention, un élément d'espacement conducteur (24) est utilisé sur les deux côtés de la pile.
Un contact empilé peut être disposé sur la couche conductrice et un contact de grille est disposé sur une partie exposée de la grille.
L'invention concerne un procédé de fabrication d'une structure empilée de grilles avec des parois latérales désoxygénées de métal sacrificiel (240).
Des implantations sources sont effectuées au niveau d'un premier angle d'implantation sur des zones situées entre les structures de porte empilées.
Requêtes fréquentes anglais :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
Requêtes fréquentes français :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
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