Le plan de champ de correction est disposé en aval du plan d'objet (6).
Les premières lames (40) sont disposées dans la zone d'un premier plan de champ (36) et les secondes lames (54, 56) sont disposées dans la zone d'un second plan de champ (44) qui est différent du premier plan de champ (36).
Le premier miroir de déflexion est disposé à proximité optique d'un premier plan de champ et le deuxième miroir de déflexion est disposé à proximité optique d'un deuxième plan de champ, qui est en conjugaison optique avec le premier plan de champ.
Un plan pupillaire intermédiaire (25), conjugué du plan image, et un plan de champ intermédiaire (27), transformée de Fourier du plan image, s'étendent tous les deux entre le plan objet (6) et le plan image (8).
L'invention concerne un système d'éclairage destiné à des longueurs d'ondes de 100 nm et pourvu d'un plan objet et d'un plan champ.
Selon un autre aspect de l'invention, le plan d'image (9) est le premier plan de champ de l'objectif de projection (7) situé en aval du plan d'objet (5).
L'appareil comprend en outre un système d'éclairement (12) comportant un plan intermédiaire de champ (80) et un diaphragme de champ (36, 36').
Le diaphragme de champ est placé dans le plan intermédiaire de champ (80) ou à proximité immédiate de celui-ci et il définit un champ éclairé (14) dans le plan objet (34), lequel ne contient pas l'axe optique (28) de l'objectif de projection (24).
Les facettes qui sont associées respectivement à un point discret du plan de champ éclairent le point discret respectivement associé du plan de champ ainsi qu'une partie associée de la pupille de sortie du système d'éclairage.
Il sert à produire une image de la structure (150) d'un réticule (145) situé dans un plan d'objet dans un plan de champ du microscope d'inspection de masque.
Celui-ci permet de générer une image de la structure (150) d’un réticule (145) agencé dans un plan d’objet dans un plan de champ du microscope de contrôle de masque.
L'invention concerne un système d'éclairage (12) d'un appareil d'exposition microlithographique (10) comprenant un condensateur (601; 602; 603; 604; 605; 606) destiné à transformer un plan pupillaire (54) en un plan de champ (62).
Un condensateur (72) superpose les faisceaux lumineux associés aux éléments de trame optique dans un plan de champ commun (71).
De même, le côté le plus long de la barre transversale doit être parallèle au plan du terrain.
De même, l axe le plus long de la barre transversale doit être parallèle au plan du terrain.
Requêtes fréquentes anglais :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
Requêtes fréquentes français :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
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