Dictionnaire anglais - français

etching

industrie mécanique - lexique.mecaniqueindustrielle.com
In the etching method, the selective etching is performed using an alkaline etching solution.

Selon le procédé, cette attaque sélective est conduite par le biais d'une solution d'attaque alcaline, laquelle contient en particulier de l'ammoniac dans une gamme de concentration spécifique.

électronique et électrotechnique - wipo.int
This etching is preferably done using dry etching.

Cette attaque s'effectue de préférence à sec.

électronique et électrotechnique - wipo.int
Etching liquid supply unit provide suitable etching atmosphere to cooperate with etching liquid supply unit and gas supply unit, and provide an etching stage.

L'unité d'alimentation en liquide d'attaque fournit une atmosphère d'attaque appropriée, coopérant avec l'unité d'alimentation en gaz pour constituer un étage d'attaque.

électronique et électrotechnique - wipo.int
For etching 12 inch wafers the etching parameters are adjusted to values optimised for etching an 8 inch wafer.

Pour l'attaque chimique de plaquettes 12 pouces, les paramètres d'attaque sont ajustés à des valeurs optimisées pour l'attaque d'une plaquette 8 pouces.

électronique et électrotechnique - wipo.int
The method utilizes rapid etching which combines ion implantation with chemical etching.

Ledit procédé consiste à effectuer une attaque rapide qui combine une implantation d'ions et une attaque chimique.

électronique et électrotechnique - wipo.int
Structure of si(111) surfaces etched in 40% nh4f: influence of the doping
The morphology of precisely oriented n and p+ type Si(111) hydrogenated surfaces has been studied by UHV-STM and AFM at ambient after "chemical" etching in 40% NH4F....
...La topographie de surface de plaquettes de Si(111) de type n et p +, orientées précisément, est étudiée par STM (dans le vide) et AFM (à l'air ambiant) après attaque "chimique" dans une solution de NH4F à 40 %....
général - core.ac.uk -
Détermination quantitative des densités élevées des dislocations dans des monocristaux de germanium par diffusion d'atomes marqués
... A comparison of these results with the same déterminations made by the application of metallographic microscopy after selective chemical etching is given....
... Illustration de la méthode sur l'exemple des monocristaux de germanium et comparaison des résultats obtenus avec les mêmes déterminations effectuées par emploi du microscope métallographique après une attaque chimique appropriée
général - core.ac.uk -
Fabrication of porous zno thin films via ammonium hydroxide: effects of etching time and oxidizer on surface morphology and surface roughnessThe effects of the etching time and oxidizer on the surface morphology and surface roughness of the porous zinc oxide (ZnO) thin films, which were formed using ammonium hydroxide (NH4OH) were investigated....
Beautés et défauts de voiture. la défense des ouvrages de m. de voiture de pierre costar... Girac, qui attaque l'ensemble du corpus pour des raisons de style et d'érudition, est lui-même attaqué par Costar....
métallurgie et sidérurgie - core.ac.uk - PDF: core.ac.ukgénéral - core.ac.uk -
Guidelines for etching silicon mems structures using fluorine high-density plasmas at cryogenic temperaturesThis paper presents guidelines for the deep reactive ion etching (DRIE) of silicon MEMS structures, employing SF/sub 6//O/sub 2/-based high-density plasmas at cryogenic temperatures....
Conduite à distance des machines à attaque ponctuelleNational audienceLa mécanisation des creusements des voies au charbon de longue taille par l'utilisation de machines à attaque ponctuelle est généralisée aux Houillères du Bassin de Lorraine....
etching
communication - iate.europa.eu
etching
électronique et électrotechnique / sciences naturelles et appliquées - iate.europa.eu techdico
The chemical etching of the foam glass layer results in an anisotropic etching rate.

Cette attaque chimique de la couche de verre multicellulaire permet d'obtenir un degré d'attaque anisotrope.

technologie et réglementation technique - wipo.int
A method of etching an organic dielectric layer (10) on a substrate (15) with a high etching rate and a high etching selectivity ratio.

L'invention porte sur un procédé d'attaque chimique d'une couche (10) diélectrique organique placée sur un substrat (15), cette attaque chimique s'effectuant à une vitesse et selon un rapport de sélectivité élevés.

électronique et électrotechnique - wipo.int
The invention relates to a method of etching silicon by metal-assisted chemical etching (MACE).

La présente invention concerne un procédé de gravure du silicium par attaque chimique assistée par métal (MACE).

métallurgie et sidérurgie - wipo.int
The etching liquid composed of an aqueous solution having nitric acid concentration of 35wt% or more, and an etching method using the etching solution are provided.

Le liquide d'attaque chimique composé d’une solution aqueuse d’une concentration en acide nitrique supérieure ou égale à 35 % en poids, et un procédé d’attaque chimique utilisant la solution d’attaque chimique.

métallurgie et sidérurgie - wipo.int
The etching liquid does not damage a transparent conductive film and has a stable etching rate, and waste etching liquid can be easily reused or recycled.

Le liquide d'attaque chimique n'endommage pas un film conducteur transparent et présente une vitesse d'attaque chimique stable.

métallurgie et sidérurgie - wipo.int
etching
électronique et électrotechnique - iate.europa.eu
The etching may suitably comprise chemical etching, electro-chemical etching or pulsed electro-chemical etching.

La gravure peut adéquatement comprendre la gravure chimique, la gravure électrochimique ou la gravure électrochimique à impulsions.

métallurgie et sidérurgie - wipo.int
An ultrasonic etching apparatus for chemically-etching a workpiece is disclosed.

La présente invention a trait à un appareil de gravure par ultrasons pour la gravure chimique d'une pièce.

industries diverses - wipo.int
The texturing may be performed by plasma assisted chemical etching, photolithography followed by etching, or nano-imprinting followed by etching.

La texturation peut être réalisée par gravure chimique assistée par plasma, photolithographie suivie de gravure, ou nano-impression suivie de gravure.

électronique et électrotechnique - wipo.int
The surface of the N-face (42) is roughened by an anisotropic etching, which may comprise a dry etching or a photo-enhanced chemical (PEC) etching.

La surface de la face N (42) est rendue rugueuse par la mise en oeuvre d'un procédé de gravure anisotrope, qui comprend une gravure à sec ou une gravure chimique photoassistée (PEC).

électronique et électrotechnique - wipo.int
This texturing may be executed, for example, by chemical etching, laser etching, or other techniques.

Cette texturation peut être exécutée, par exemple, par gravure chimique, gravure au laser ou d'autres techniques.

industrie mécanique - wipo.int
Élaboration d’un simulateur de gravure par plasma de haute densité basé sur une approche cellulaire pour l’étude de profils dans divers matériaux
Sub-micrometer and nanometer-size device manufacturing requires perfect control of fabrication processing, in particular plasma etching....
... Les capacités de cet algorithme ont été testées en étudiant d'une part la pulvérisation de Si dans un plasma d'argon et d'autre part, la gravure chimique assistée par les ions de SiO2/Si dans un plasma de chlore....
général - core.ac.uk -
Production of submicronstructures in highly conductive substrates
... Conclusions have been drawn regarding the image in the resist and about the pattern which is formed in the metal if chemical or sputter etching is applied....
... Des conclusions ont été tirées quant à l'image dans la laque photosensible et au dessin formé dans le métal par gravure chimique ou par gravure par bombardement ionique....
général - core.ac.uk -
etching
électronique et électrotechnique - iate.europa.eu
industrie mécanique - lexique.mecaniqueindustrielle.com
migration - iate.europa.eu
etching
métallurgie et sidérurgie / environnement / électronique et électrotechnique - acta.es iate.europa.eu
The etching step includes alkali-etching the base wafer and acid-etching it, with the alkali-etching allowance larger than the acid-etching allowance.

L'étape de gravure consiste à graver aux alcalis la plaquette support avant de la graver à l'acide, la gravure aux alcalis étant plus importante que la gravure à l'acide.

électronique et électrotechnique - wipo.int
The etching step is performed by wet etching in which an etching solution is used.

L’étape de gravure est réalisée par gravure humide au cours de laquelle une solution de gravure est utilisée.

électronique et électrotechnique - wipo.int
The etching rate and etching ratio were satisfactory.

Ce mode de réalisation permet d'obtenir un vitesse de gravure et un rapport de gravure satisfaisants.

électronique et électrotechnique - wipo.int
The second etching step is a step for etching an area including an etching area remaining unetched in the first etching step.

La seconde étape de gravure est une étape pour graver une zone comprenant une zone de gravure restée non gravée dans la première zone de gravure.

électronique et électrotechnique - wipo.int
The side-etching technology method comprises an isotropic dry etching method containing an internal tangent horizontal etching amount or a wet etching method for selectively etching in each crystal direction.

Le procédé de technologie de gravure de côté comprend un procédé de gravure sèche isotrope contenant une quantité de gravure horizontale de tangente interne ou un procédé de gravure humide pour sélectivement graver dans chaque direction de cristal.

électronique et électrotechnique - wipo.int
Développement et caractérisation de procédés de gravure plasma de t.s.v (through silicon via) pour l'intégration tridimensionnelle de circuits intégrés
... One of these steps is the realization by plasma etching of deep silicon microcavities....
... L'empilement de ces puces est réalisable par l'intermédiaire de vias traversant nommés Though Silicon Via ( TSV ), qui sont obtenus par la succession de différentes étapes technologiques, dont une d'entre elles consiste à réaliser par gravure plasma, des microcavités profondes à travers le silicium....
électronique et électrotechnique - core.ac.uk - PDF: www.theses.fr
Technologie d'intégration monolithique des jfet latéraux
... But we have also highlighted the need to optimize the structure of components and improve some technological steps, mainly the definition channels by ion implantation, the ohmic contact and deep etching....
... Mais, nous avons aussi mis en évidence, la nécessité d optimiser la structure de composants et d améliorer certaines étapes technologiques, principalement, la définition des canaux par implantation ionique, le contact ohmique et la gravure profonde....
métallurgie et sidérurgie - core.ac.uk - PDF: theses.insa-lyon.fr
Réalisation de composants passifs à base de technologie algan/gan pour des applications millimétriques... Les dites étapes seront la fabrication et la caractérisation de résistances à base de NiCr (Nickel-Chrome), l'étude de la gravure de diélectriques (SiO2, Si3N4) ainsi que la réalisation et la caractérisation de capacités et d'inductances....
électronique et électrotechnique / communication / technologie et réglementation technique - core.ac.uk -
etching
industrie mécanique - lexique.mecaniqueindustrielle.com
The equipment may be a plasma etching chamber.

L'invention a trait à un élément d'équipement de traitement de semi-conducteurs, p. ex. chambre à plasma, résistant à la corrosion, qui comprend une surface contenant du diamant, et à un procédé de fabrication de cet élément.

technologie et réglementation technique - wipo.int
Corrosion et protection cathodique des conduites souterrainesDe nos jours, la détérioration des conduites souterraines par le phénomène de corrosion est devenue une préoccupation croissante des secteurs industriels et environnementaux dans les pays développés....
général - core.ac.uk - PDF: core.ac.uk
Protection contre la corrosionAspect phénoménologique des attaques de corrosion....
etching
santé - iate.europa.eu
Techno-, un préfixe qui démange... celle de certains travaux qui intègrent pleinement les techniques dans leur objet, un constat s’impose : les techniques sont partie prenante de nos sociétés et ne cessent de mordre et de contaminer d’autres sphères que l’on croyait imperméables à elles....
général - core.ac.uk - PDF: journals.openedition.org
Fragment autographe sur le burg "des-cris-la-nuit" : dessins de paysages et monuments...au-dessus de l'ogive d'entrée qu'inondait une flaque d'eau noirâtre une sorte de monstre - était-ce une lucarne en ruine ? - ouvrait une gueule inexprimable qui paraissait prête à mordre et à crier.téléchargeabl
etching
santé - iate.europa.eu
Provided is a plasma etching equipment and a method of etching a wafer using the plasma etching equipment.

Cette invention concerne un dispositif de gravure au plasma et un procédé permettant de graver une tranche au moyen du dispositif de gravure au plasma.

électronique et électrotechnique - wipo.int
A novel etching agent for etching II-VI semiconductors is provided.

L'invention porte sur un nouvel agent de gravure pour graver des semi-conducteurs des groupes II-VI. L'agent de gravure comprend une solution aqueuse de permanganate de potassium et d'acide phosphorique.

électronique et électrotechnique - wipo.int
An etching system for etching a wafer of a material has a measuring device, an etching chamber, and a controller.

L'invention porte sur un système de gravure destiné à graver une tranche d'un matériau comprenant les éléments suivants : un dispositif de mesure, un réservoir de gravure, et un régulateur.

industrie mécanique - wipo.int
In the etching process, gas containing bromine is used as etching gas for etching at least the variable-resistance layer (3).

Dans le processus de gravure, un gaz contenant du brome est utilisé en tant que gaz de gravure pour graver au moins la couche à résistance variable (3).

électronique et électrotechnique - wipo.int
Also disclosed is a method for etching silicon by using such an etching liquid.

L'invention porte également sur un procédé pour graver du silicium avec un tel liquide de gravure.

électronique et électrotechnique - wipo.int
A complete dry etching process for mos fet's with submicron gate length
An anisotropic dry etching process for submicrometer silicon gate N channel MOS technology has been developed....
... La gravure ionique réactive a été utilisée pour graver le Si3N4, le silicium polycristallin et le SiO 2 déposé dopé au phosphore (PSG)....
général - core.ac.uk -
Développement de procédés de gravure isotrope de silicium sélectivement au silicium germanium pour des applications cmos sub 10nm
... This technology requires the development of new etching processes.In...
...gravure.L’objectif de ce travail de thèse est de développer et d’optimiser les procédés de gravure isotropes par voie sèche (plasma) et par voie humide capables de graver sélectivement le silicium par rapport au SiGe dans le but de réaliser des nanocanaux en Si0.7Ge0.3...
général - core.ac.uk -
« orus apollo, fils de osiris, roy de aegipte niliacque. des notes hieroglyphiques livres deux, mis en rithme par epigrammes », par « michel nostradamus, de saint remy en provence », précédé d'un prologue en vers du « translateur à madame la princesse de navarre ».... » et finissant par : « Et par la face sens hieulx estoit passaige Qu'on le faisoit graver aux testementz »
général - core.ac.uk - PDF: gallica.bnf.fr
Précis méthodique pour apprendre à graver le lavis... Donateur[Précis méthodique pour apprendre à graver le lavis, à l'eau-forte, par Jean-Jacques Lequeu Ingénieur, Architecte et Dessinateur, S.l.,...
etching
industries du cuir et du textile - acta.es
A vortex is formed in the etching solution to control the etching of the substrate.

On réalise dans la solution de mordançage un vortex de façon à contrôler le mordançage du substrat.

électronique et électrotechnique - wipo.int
The base etching component and the deposited fluid etching component combine to form an etching composition to etch the surface of the selected material in the areas where the deposited fluid etching component is deposited and spreads.

Le composant de mordançage de base et le composant de mordançage fluide déposé se combinent pour former une composition de mordançage attaquant la surface du matériau sélectionné dans les zones où le composant de mordançage fluide déposé s'est étalé.

électronique et électrotechnique - wipo.int
A self-etching primer composition and method for etching and treating a tooth surface prior to restoration.

Composition d’amorce d’auto-mordançage et procédé de mordançage et de traitement d’une surface dentaire préalablement à la restauration.

santé - wipo.int
The self-etching primer composition contains DOPA.

La composition d’amorce d’auto-mordançage contient de la DOPA.

santé - wipo.int
A resistive etching solution containing thiourea, which is particularly suitable for etching an electrically resistive material comprised of a nickel-chromium alloy.

L'invention porte sur une solution de mordançage au thiourée particulièrement adaptée au mordançage de matériaux électrorésistants d'alliage de nickel-chrome.

métallurgie et sidérurgie - wipo.int
etching
électronique et électrotechnique / culture et religion - iate.europa.eu
The etching bath receives an etching solution.

Le bain de morsure reçoit une solution correspondante.

électronique et électrotechnique - wipo.int
This etch procedure provides highly uniform etching.

Ce procédé permet d'obtenir une morsure très uniforme.

électronique et électrotechnique - wipo.int
This etching method has high etching rate and is capable of suppressing generation of haze in the glass substrate surface.

Ce procédé de gravure à l'acide présente un facteur de morsure élevé et peut supprimer la génération de voile sur la surface du substrat de verre.

chimie - wipo.int
The gas for plasma reactions enables to perform an etching having a good balance between etching rate and selectivity even with a high-density plasma.

Le gaz pour des réactions plasma permet d'effectuer une attaque chimique présentant un bon équilibre entre le facteur de morsure et la sélectivité y compris avec un plasma haute densité.

électronique et électrotechnique - wipo.int
Accident vasculaire cérébral hémorragique mortel suite à une envenimation par une vipère à corne en tunisieEn Tunisie, parmi les envenimations par animaux terrestres, les morsures de vipéridés sont, après les piqûres de scorpions, les plus fréquentes....
général - core.ac.uk -
La morsure de vipère : golay (philippe), «la morsure de vipère n’est-elle point mortelle dans notre pays ?» (rubrique «il y a 150 ans dans le bulletin, rétrospective»), bulletin de la société vaudoise de sciences naturelles, 2015, vol. 94, n° 4... La morsure de vipère : Golay (Philippe), «La morsure de vipère n’est-elle point mortelle dans notre pays ?» (rubrique «Il y a 150 ans dans le bulletin, rétrospective»), Bulletin ...
etching
culture et religion - iate.europa.eu
The acid etching process may utilize a glass etching cream.

Le procédé de gravure à l'acide peut utiliser une crème pour gravure sur verre.

électronique et électrotechnique - wipo.int
The wafer surface is treated by alkaline-etching or alternatively acid-etching.

La surface de tranche est traitée par gravure alcaline ou en variante par gravure à l'acide.

électronique et électrotechnique - wipo.int
Subsequently, the other one of the alkaline- etching an acid-etching of the wafer surface is performed.

Ultérieurement, l'autre de la gravure alcaline et de la gravure à l'acide de la surface de tranche est réalisée.

électronique et électrotechnique - wipo.int
The frosted regions may be formed by etching the interior or exterior surface of the bulb, such as via sandblasting or acid etching.

Les régions dépolies peuvent être formées en gravant la surface intérieure ou extérieure de l'ampoule, comme par le biais d'une gravure au sable ou d'une gravure à l'acide.

électronique et électrotechnique - wipo.int

Publications scientifiques

Structure et enregistrement des traces latentes d'ions argon et fer dans l'olivine et le mica muscovite... La distance inter-zones conditionne la mise en évidence des traces par attaque chimique : l'enregistrement des traces n'apparaît pas lié à un mécanisme à seuil énergétique
général - core.ac.uk - PDF: core.ac.uk
Influence de nano-rugosités sur le frottement d'un indenteur sphérique sur surface de polymère vitreux à faibles pressions de contactDes rugosités contrôlées (4 à 100 nm) ont été obtenues par attaque chimique sur des billes de verre de différents rayons....
général - core.ac.uk - PDF: documents.irevues.inist.fr
Annuaire de la gravure française.... Société pour létude de la gravure française: Statuts....
général - core.ac.uk - PDF: www.hathitrust.org

Exemples anglais - français

électronique et électrotechnique / métallurgie et sidérurgie - iate.europa.eu
électronique et électrotechnique - acta.es
électronique et électrotechnique - acta.es
métallurgie et sidérurgie / politique et structures industrielles - iate.europa.eu
[...]

Traductions en contexte anglais - français

In a method for processing a semiconductor wafer which comprises chamfering, lapping, etching, and mirror-polishing, the etching is alkali etching and then acid etching.

Dans un procédé de traitement d'une plaquette de semi-conducteur comprenant le chanfreinage, le rodage, la gravure, et le polissage optique, la gravure est une gravure alcaline suivie d'une gravure acide.

électronique et électrotechnique - wipo.int
Self-etching and non-self-etching compositions are provided.

Les compositions peuvent être auto-décapantes ou non, et le revêtement une fois durci forme un film protecteur durable qui augmente l'éclat et le lustre des prothèses et des dents.

santé - wipo.int
An etching installation contains an etching machine (1) in which the etching agent is enriched with metal that has been etched away during the etching process.

Une installation de gravure comporte une machine de gravure (1) dans laquelle l'agent de gravure est enrichi avec du métal qui a été corrodé pendant le processus de gravure.

métallurgie et sidérurgie - wipo.int
Each etching phase comprises providing a reactive etching gas and forming a plasma from the reactive etching gas.

Pour chaque phase de gravure, on utilise un gaz de gravure réactif à partir du quel on forme un plasma.

électronique et électrotechnique - wipo.int
Disclosed is an electrochemical etching system with localized etching capability.

L'invention porte sur un système de gravure électrochimique avec une capacité de gravure localisée.

métallurgie et sidérurgie - wipo.int
The disclosed advanced etching chemistries and etching methods achieve selective etching with minimal damage to the TFSS and template.

Les produits chimiques et les procédés de gravure décrits dans l'invention permettent de réaliser une gravure sélective avec un minimum de dommages pour le TFSS et le modèle.

électronique et électrotechnique - wipo.int
During the etching, copper nanoparticles enhance or drive the etching process.

Pendant la gravure, des nanoparticules de cuivre améliorent ou entraînent le processus de gravure.

électronique et électrotechnique - wipo.int
An oxygen-containing etching gas is particularly suitable as etching gas.

Un gaz oxygéné, notamment de l'oxygène pur ou un mélange O2/He, est particulièrement adapté comme gaz de gravure.

chimie - wipo.int
When etching of the tungsten silicide layer (104) is ended substantially, etching gas is switched to Cl2+O2+NF3 and over etching is performed by plasma etching.

Lorsque la gravure de la couche de siliciure de tungstène (104) est pratiquement terminée, le gaz de gravure devient Cl2+O2+NF3 et une surgravure est effectuée par gravure au plasma.

électronique et électrotechnique - wipo.int
The dry etching method employs either of these dry etching gases.

Le procédé de gravure sèche emploie l'un quelconque de ces gaz de gravure sèche.

électronique et électrotechnique - wipo.int
The occurrence of etching of the first material during anisotropic etching is detected, and the anisotropic etching is stopped.

L'existence d'une gravure sur le premier matériau pendant une gravure anisotrope est détectée, et la première gravure anisotrope est arrêtée.

électronique et électrotechnique - wipo.int
The etching layer is configured to aid in etching the substrate.

La couche de gravure est conçue de façon à faciliter la gravure.

électronique et électrotechnique - wipo.int
The etching speed of the resist film (14) in dry etching by using an etching gas including a chlorine gas is 0.5 times the etching speed of the light shielding film (12) in the dry etching or less.

La vitesse de gravure du film de résist (14) lors de la gravure sèche par l'utilisation d'un gaz de gravure incluant un gaz de chlore est de 0,5 fois ou moins la vitesse de gravure du film de protection contre la lumière (12) lors de la gravure sèche.

communication - wipo.int
Disclosed is a dry etching method which enables to reduce etching products in the etching process and improve in-plane uniformity with respect to the etching object.

La présente invention concerne un procédé de décapage à sec qui permet de réduire les produits de décapage dans le procédé de décapage et améliore l'uniformité en plan relativement à l'objet de décapage.

électronique et électrotechnique - wipo.int
The invention also relates to the use of said etching solution for etching silicon and to etching methods for silicon wafers.

La présente invention concerne également l'utilisation de cette solution pour la gravure de silicium, ainsi que des procédés de gravure pour des tranches de silicium.

électronique et électrotechnique - wipo.int


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