Selon le procédé, cette attaque sélective est conduite par le biais d'une solution d'attaque alcaline, laquelle contient en particulier de l'ammoniac dans une gamme de concentration spécifique.
Cette attaque s'effectue de préférence à sec.
L'unité d'alimentation en liquide d'attaque fournit une atmosphère d'attaque appropriée, coopérant avec l'unité d'alimentation en gaz pour constituer un étage d'attaque.
Pour l'attaque chimique de plaquettes 12 pouces, les paramètres d'attaque sont ajustés à des valeurs optimisées pour l'attaque d'une plaquette 8 pouces.
Ledit procédé consiste à effectuer une attaque rapide qui combine une implantation d'ions et une attaque chimique.
Cette attaque chimique de la couche de verre multicellulaire permet d'obtenir un degré d'attaque anisotrope.
L'invention porte sur un procédé d'attaque chimique d'une couche (10) diélectrique organique placée sur un substrat (15), cette attaque chimique s'effectuant à une vitesse et selon un rapport de sélectivité élevés.
La présente invention concerne un procédé de gravure du silicium par attaque chimique assistée par métal (MACE).
Le liquide d'attaque chimique composé d’une solution aqueuse d’une concentration en acide nitrique supérieure ou égale à 35 % en poids, et un procédé d’attaque chimique utilisant la solution d’attaque chimique.
Le liquide d'attaque chimique n'endommage pas un film conducteur transparent et présente une vitesse d'attaque chimique stable.
La gravure peut adéquatement comprendre la gravure chimique, la gravure électrochimique ou la gravure électrochimique à impulsions.
La présente invention a trait à un appareil de gravure par ultrasons pour la gravure chimique d'une pièce.
La texturation peut être réalisée par gravure chimique assistée par plasma, photolithographie suivie de gravure, ou nano-impression suivie de gravure.
La surface de la face N (42) est rendue rugueuse par la mise en oeuvre d'un procédé de gravure anisotrope, qui comprend une gravure à sec ou une gravure chimique photoassistée (PEC).
Cette texturation peut être exécutée, par exemple, par gravure chimique, gravure au laser ou d'autres techniques.
L'étape de gravure consiste à graver aux alcalis la plaquette support avant de la graver à l'acide, la gravure aux alcalis étant plus importante que la gravure à l'acide.
L’étape de gravure est réalisée par gravure humide au cours de laquelle une solution de gravure est utilisée.
Ce mode de réalisation permet d'obtenir un vitesse de gravure et un rapport de gravure satisfaisants.
La seconde étape de gravure est une étape pour graver une zone comprenant une zone de gravure restée non gravée dans la première zone de gravure.
Le procédé de technologie de gravure de côté comprend un procédé de gravure sèche isotrope contenant une quantité de gravure horizontale de tangente interne ou un procédé de gravure humide pour sélectivement graver dans chaque direction de cristal.
L'invention a trait à un élément d'équipement de traitement de semi-conducteurs, p. ex. chambre à plasma, résistant à la corrosion, qui comprend une surface contenant du diamant, et à un procédé de fabrication de cet élément.
Cette invention concerne un dispositif de gravure au plasma et un procédé permettant de graver une tranche au moyen du dispositif de gravure au plasma.
L'invention porte sur un nouvel agent de gravure pour graver des semi-conducteurs des groupes II-VI. L'agent de gravure comprend une solution aqueuse de permanganate de potassium et d'acide phosphorique.
L'invention porte sur un système de gravure destiné à graver une tranche d'un matériau comprenant les éléments suivants : un dispositif de mesure, un réservoir de gravure, et un régulateur.
Dans le processus de gravure, un gaz contenant du brome est utilisé en tant que gaz de gravure pour graver au moins la couche à résistance variable (3).
L'invention porte également sur un procédé pour graver du silicium avec un tel liquide de gravure.
On réalise dans la solution de mordançage un vortex de façon à contrôler le mordançage du substrat.
Le composant de mordançage de base et le composant de mordançage fluide déposé se combinent pour former une composition de mordançage attaquant la surface du matériau sélectionné dans les zones où le composant de mordançage fluide déposé s'est étalé.
Composition d’amorce d’auto-mordançage et procédé de mordançage et de traitement d’une surface dentaire préalablement à la restauration.
La composition d’amorce d’auto-mordançage contient de la DOPA.
L'invention porte sur une solution de mordançage au thiourée particulièrement adaptée au mordançage de matériaux électrorésistants d'alliage de nickel-chrome.
Le bain de morsure reçoit une solution correspondante.
Ce procédé permet d'obtenir une morsure très uniforme.
Ce procédé de gravure à l'acide présente un facteur de morsure élevé et peut supprimer la génération de voile sur la surface du substrat de verre.
Le gaz pour des réactions plasma permet d'effectuer une attaque chimique présentant un bon équilibre entre le facteur de morsure et la sélectivité y compris avec un plasma haute densité.
Le procédé de gravure à l'acide peut utiliser une crème pour gravure sur verre.
La surface de tranche est traitée par gravure alcaline ou en variante par gravure à l'acide.
Ultérieurement, l'autre de la gravure alcaline et de la gravure à l'acide de la surface de tranche est réalisée.
Les régions dépolies peuvent être formées en gravant la surface intérieure ou extérieure de l'ampoule, comme par le biais d'une gravure au sable ou d'une gravure à l'acide.
Dans un procédé de traitement d'une plaquette de semi-conducteur comprenant le chanfreinage, le rodage, la gravure, et le polissage optique, la gravure est une gravure alcaline suivie d'une gravure acide.
Les compositions peuvent être auto-décapantes ou non, et le revêtement une fois durci forme un film protecteur durable qui augmente l'éclat et le lustre des prothèses et des dents.
Une installation de gravure comporte une machine de gravure (1) dans laquelle l'agent de gravure est enrichi avec du métal qui a été corrodé pendant le processus de gravure.
Pour chaque phase de gravure, on utilise un gaz de gravure réactif à partir du quel on forme un plasma.
L'invention porte sur un système de gravure électrochimique avec une capacité de gravure localisée.
Les produits chimiques et les procédés de gravure décrits dans l'invention permettent de réaliser une gravure sélective avec un minimum de dommages pour le TFSS et le modèle.
Pendant la gravure, des nanoparticules de cuivre améliorent ou entraînent le processus de gravure.
Un gaz oxygéné, notamment de l'oxygène pur ou un mélange O2/He, est particulièrement adapté comme gaz de gravure.
Lorsque la gravure de la couche de siliciure de tungstène (104) est pratiquement terminée, le gaz de gravure devient Cl2+O2+NF3 et une surgravure est effectuée par gravure au plasma.
Le procédé de gravure sèche emploie l'un quelconque de ces gaz de gravure sèche.
L'existence d'une gravure sur le premier matériau pendant une gravure anisotrope est détectée, et la première gravure anisotrope est arrêtée.
La couche de gravure est conçue de façon à faciliter la gravure.
La vitesse de gravure du film de résist (14) lors de la gravure sèche par l'utilisation d'un gaz de gravure incluant un gaz de chlore est de 0,5 fois ou moins la vitesse de gravure du film de protection contre la lumière (12) lors de la gravure sèche.
La présente invention concerne un procédé de décapage à sec qui permet de réduire les produits de décapage dans le procédé de décapage et améliore l'uniformité en plan relativement à l'objet de décapage.
La présente invention concerne également l'utilisation de cette solution pour la gravure de silicium, ainsi que des procédés de gravure pour des tranches de silicium.
Requêtes fréquentes anglais :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
Requêtes fréquentes français :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
Traduction Translation Traducción Übersetzung Tradução Traduzione Traducere Vertaling Tłumaczenie Mετάφραση Oversættelse Översättning Käännös Aistriúchán Traduzzjoni Prevajanje Vertimas Tõlge Preklad Fordítás Tulkojumi Превод Překlad Prijevod 翻訳 번역 翻译 Перевод