Une déposition épitaxiale est ensuite utilisée pour former une couche épitaxiale sur la surface de substrat.
L'invention, selon des modes de réalisation, porte sur un système parallèle pour la déposition épitaxiale.
Procédé de déposition épitaxiale et de traitement d'une seule gauffrette (45), chambre de réaction pour appliquer le procédé.
Ce procédé amélioré permet une déposition épitaxiale efficace quels que soient la rugosité, les géométries ou l'état de salissure de départ du substrat.
L'invention concerne un procédé de dépôt épitaxial constitué d'un procédé de gravure à sec suivi d'un procédé de dépôt épitaxial.
L'invention concerne des systèmes et des procédés de dépôt épitaxial.
L'invention se rapporte également à un injecteur de gaz par dépôt épitaxial et à une buse pour un injecteur de gaz par dépôt épitaxial.
On obtient ainsi une couche épitaxiale constituant un substrat pouvant servir soit à une nouvelle opération de dépôt épitaxial soit à la fabrication de dispositifs.
Le dépôt épitaxial (106) peut suivre in situ.
La couche épitaxique devient ainsi une plate-forme, soit pour un nouveau dépôt épitaxique, soit pour un nouveau traitement de dispositif.
L'invention concerne un procédé de dépôt épitaxique produisant une surcroissance latérale épitaxique (ELO) de matériaux à base de nitrures directement sous forme de substrats à motifs (10).
Cette invention concerne un procédé et un appareil pour le dépôt chimique en phase vapeur et/ou le dépôt par épitaxie en phase vapeur par la méthode aux hydrures.
L'invention concerne un suscepteur modifié destiné à être utilisé dans un appareil et un processus de dépôt par épitaxie.
L'invention concerne, dans un mode de réalisation, un procédé permettant de produire un film continu de matériau monocristallin, par dépôt épitaxique.
Dans ce procédé, le dépôt de la couche épitaxiale, le chauffage et le refroidissement sont effectués dans la même chambre de réaction.
La tranche de SiC résultante a une surface de type miroir qui est adaptée pour un dépôt épitaxial de SiC.
Le dépôt épitaxial opère comme un recuit in-situ en formant des boucles de dislocation qui constituent des sites de dégazage.
Plus spécifiquement, la formation du super-réseau peut consister à déposer le super-réseau sur un substrat monocristallin par dépôt épitaxial.
On peut procéder au polissage du substrat séparé à sa surface supérieure (75) par polissage chemomécanique pour le dépôt épitaxial de couches additionnelles.
L'invention concerne un procédé de dépôt de couches par épitaxie en phase vapeur, selon lequel une couche épitaxiale faiblement dopée est appliquée sur des zones fortement dopées, introduites dans un substrat silicium.
L'invention concerne des procédés et des dispositifs permettant de réduire des défauts d'autodopage et de coté arrière sur un substrat pendant des traitements de dépôt épitaxial.
Le substrat au nitrure est produit pas dépôt épitaxial d'une première couche de nitrure métallique (3) sur un substrat non-natif (1), suivi d'un second dépôt de nitrure métallique (6).
Selon une réalisation, on recomble l'évidement en déposant in situ, de manière épitaxiale, une double couche de matériau à dopage opposé.
La présente invention concerne un procédé permettant de préparer une surface de substrat propre pour la couverture ou le dépôt épitaxial sélectif de films contenant du silicium et/ou du germanium.
Requêtes fréquentes anglais :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
Requêtes fréquentes français :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
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