Le laser peut être un laser à émission par la tranche.
Une électrode émettrice sur la surface supérieure (41) et une électrode émettrice de rebord (42) sont formées sur un substrat paraélectrique (40).
Au moins un dispositif électroluminescent à semi-conducteurs à émission latérale est positionné par rapport à la cavité du réflecteur.
L'invention concerne également des éléments de commande destinés à commander les éléments d'émission marginale.
Ce mode de réalisation peut être mis en application en tant qu'une des nombreuses configurations comprenant des lasers à émission de surface et à cavité verticale et des lasers à émissions latérales.
Le dispositif laser à semi-conducteur à émission latérale et pompage optique comprend : (1) une zone de gain ; et (2) une sortie monomode placée sur un côté.
Cet appareil permet d'obtenir des lasers à émission par la surface et à émission latérale à pompage optique de grande puissance et à moindres frais, ces lasers pouvant être utilisés à des températures ou à des niveaux de puissance élevés.
Nouvel ensemble diode laser à émission périphérique possédant un support réglable pour les diodes.
Le laser peut être une diode électroluminescente à émission par les bords, un VCSEL ou une autre source accordable ou non accordable.
Ce laser à semi-conducteurs dans le plan peut faire partie de différents types de lasers dans le plan comprenant un laser (240) à émission par le bord, un laser dans le plan à émission par la surface ou un laser à émission par la surface à cavité repliée.
On assure ainsi l'utilisation de la lumière provenant des cônes émetteurs à quatre côtés de la LED.
Cette invention concerne des lasers à semi-conducteur de grande puissance et à émission latérale qui émettent selon une largeur spectrale très étroite à des longueurs d'onde précises.
La présente invention se rapporte à un dispositif d'interface optique multimode/monomode comprenant : un dispositif laser à semi-conducteur à émission latérale et pompage optique ; et une lentille.
L'invention concerne également différents types de lasers à semi-conducteur, notamment des lasers à semi-conducteur à la fois à émission latérale et de type VCSEL.
La surface réfléchissante dévie la lumière d'une diode laser à émission latérale de sorte qu'elle soit émise à partir de la surface supérieure ou inférieure de la diode.
Requêtes fréquentes anglais :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
Requêtes fréquentes français :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
Traduction Translation Traducción Übersetzung Tradução Traduzione Traducere Vertaling Tłumaczenie Mετάφραση Oversættelse Översättning Käännös Aistriúchán Traduzzjoni Prevajanje Vertimas Tõlge Preklad Fordítás Tulkojumi Превод Překlad Prijevod 翻訳 번역 翻译 Перевод