La présente invention concerne un transistor à double diffusion latérale résistant à la haute tension basé sur un dispositif à nanofil.
La capacité de résistance à la haute tension du transistor à double diffusion latérale basé sur un transistor MOS à nanofil de silicium est augmentée.
transistor de commutation au silicium à double diffusion
L'invention concerne un transistor à effet de champ à portée isolée et double diffusion (10), dotée d'une grille métallique (26).
L'invention concerne un dispositif semi-conducteur à oxyde métallique à double diffusion verticale (VDMOS) et son procédé de fabrication.
L'invention concerne un MOS à double diffusion latérale (LDMOS) de dimension réduite, ayant une tension de claquage élevée et une faible résistance à l'état passant.
La présente invention concerne un transistor à effet de champ à semi-conducteur d'oxyde de métal latéral double diffusé (LDMOS), appartenant au domaine technique des dispositifs semi-conducteurs de puissance.
Le transistor à effet de champ de commande est un transistor à effet de champ à double diffusion latérale (LDMOS), dont le type de conductivité est le même que celui du substrat.
L'appareil comprend enfin un second générateur de forme d'onde conçu pour générer une forme d'onde de commande à appliquer au transistor métal-oxyde-semi-conducteur à double diffusion du type n et actionner sélectivement le transducteur piézoélectrique.
Requêtes fréquentes anglais :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
Requêtes fréquentes français :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
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