Dictionnaire anglais - français

double-diffused

transistor

électronique et électrotechnique - iate.europa.eu
A high-voltage resistant lateral double-diffused transistor based on a nanowire device is provided.

La présente invention concerne un transistor à double diffusion latérale résistant à la haute tension basé sur un dispositif à nanofil.

électronique et électrotechnique - wipo.int
The high voltage resistant ability of the lateral double-diffused transistor based on a silicon nanowire MOS transistor is increased.

La capacité de résistance à la haute tension du transistor à double diffusion latérale basé sur un transistor MOS à nanofil de silicium est augmentée.

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double-diffused

process

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double-diffused

planar transistor

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double-diffused

mesa transistor

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Publications scientifiques

Physico-chemical processes in vertical-double-diffused metal-oxide-semiconductor field effect transistors induced by gamma-ray irradiation and post-irradiation annealingThe behavior of commercial power Vertical-Double-Diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors (VDMOSFETs) during gamma-ray irradiation and subsequent annealing at room and elevated temperature was investigated....
général - core.ac.uk - PDF: casopisi.junis.ni.ac.rs
Physico-chemical processes in vertical-double-diffused metal-oxide-semiconductor field effect transistors induced by gamma-ray irradiation and post-irradiation annealingThe behavior of commercial power Vertical-Double-Diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors (VDMOSFETs) during gamma-ray irradiation and subsequent annealing at room and elevated temperature was investigated....
général - core.ac.uk - PDF: doaj.org
Optimization of vertical double-diffused metal-oxide semiconductor (vdmos) power transistor structure for use in high frequencies and medical devicesPower transistors, such as the vertical, double-diffused, metal-oxide semiconductor (VDMOS), are used extensivelyin the amplifier circuits of medical devices....
général - core.ac.uk - PDF: www.ncbi.nlm.nih.gov
Ultra-low specific on-resistance lateral double-diffused metal-oxide-semiconductor transistor with enhanced dual-gate and partial p-buried layerAbstract An ultra-low specific on-resistance (R on,sp) lateral double-diffused metal-oxide-semiconductor transistor (LDMOS) with enhanced dual-gate and partial P-buried layer is proposed and investigated in this paper....
général - core.ac.uk - PDF: link.springer.com

Exemples anglais - français

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[...]

Traductions en contexte anglais - français

double-diffused silicon switching transistor

transistor de commutation au silicium à double diffusion

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A double-diffused metal-oxide-semiconductor ('DMOS') field-effect transistor (10) with a metal gate (26).

L'invention concerne un transistor à effet de champ à portée isolée et double diffusion (10), dotée d'une grille métallique (26).

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A Vertical Double-diffused Metal-Oxide-Semiconductor (VDMOS) device and a method for fabricating the same are provided.

L'invention concerne un dispositif semi-conducteur à oxyde métallique à double diffusion verticale (VDMOS) et son procédé de fabrication.

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The invention includes a laterally double-diffused metal-oxide semiconductor (LDMOS) having a reduced size, a high breakdown voltage, and a low on-state resistance.

L'invention concerne un MOS à double diffusion latérale (LDMOS) de dimension réduite, ayant une tension de claquage élevée et une faible résistance à l'état passant.

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The present invention provides a lateral double-diffused metal oxide semiconductor field effect transistor (LDMOS), which belongs to the technical field of semiconductor power devices.

La présente invention concerne un transistor à effet de champ à semi-conducteur d'oxyde de métal latéral double diffusé (LDMOS), appartenant au domaine technique des dispositifs semi-conducteurs de puissance.

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The control FET is a lateral double-diffused (LDMOS) FET, and the conductivity-type of the LDMOS FET and the conductivity-type of the substrate are of the same type.

Le transistor à effet de champ de commande est un transistor à effet de champ à double diffusion latérale (LDMOS), dont le type de conductivité est le même que celui du substrat.

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The apparatus also includes a second waveform generator configured to generate a control waveform to apply to the n-type double-diffused metal oxide semiconductor transistor to selectively actuate the piezoelectric transducer.

L'appareil comprend enfin un second générateur de forme d'onde conçu pour générer une forme d'onde de commande à appliquer au transistor métal-oxyde-semi-conducteur à double diffusion du type n et actionner sélectivement le transducteur piézoélectrique.

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