Le revêtement est tel que la couche de blindage protège le potentiel d'ionisation de dopant dans lesdites régions d'extension (6, 7) afin d'empêcher la désactivation de dopant.
La désactivation de dopant après recuit laser est réduite à un minimum par mise en oeuvre d'un certain nombre d'étapes de traitement à basse température préalablement à un recuit laser.
L'invention concerne une désactivation de dopant de recuit post-laser qui est réduite au minimum en effectuant certaines étapes du procédé de formation de siliciure avant un recuit laser.
La désactivation de dopant après recuit laser est réduite à un minimum par mise en oeuvre de certaines étapes du procédé de formation de siliciure préalablement à un recuit laser.
Requêtes fréquentes anglais :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
Requêtes fréquentes français :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
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