Dans l'un des modes de réalisation de l'invention, la mémoire de domaine à tensions multiples comprend : une matrice mémoire qui est mise en œuvre dans un domaine de haute tension ; et un circuit de commande de domaine à tensions multiples.
L'invention se rapporte d'autre part à des systèmes et à des procédés associés.
Cette séquence de commande fournit pour à chaque cycle du système, en parallèle, des signaux de commande (DFC) du flux de données et des adresses (ADR1, ADR2) à la mémoire de blocs et à la mémoire de domaines de recherche.
La présente invention se rapporte à des systèmes et à des procédés adaptés pour imiter de façon adaptative une logique de décodage de ligne de mots dans une mémoire de domaine à tensions multiples pour une matrice mémoire.
A chaque domaine sont attribuées des ressources de mémoire comprenant un espace mémoire accessible qui est accessible exclusivement pour ce domaine.
Dans l'un des modes de réalisation de l'invention, la mémoire de domaine à tensions multiples comprend : une matrice mémoire qui est mise en œuvre dans un domaine de haute tension ; et un circuit de commande de domaine à tensions multiples.
La présente invention porte sur un dispositif de mémoire électronique qui comporte une ligne de mémoire comprenant un domaine de mémoire.
Les représentations du domaine fréquentiel sont stockées dans une mémoire résiduelle, et des composantes de brouillage sont directement supprimées des représentations du domaine fréquentiel stockées dans la mémoire résiduelle dans le domaine fréquentiel.
L'invention concerne un dispositif de traitement qui comporte une unité de traitement, un système de gestion de mémoire et une mémoire persistante dans un domaine de mémoire persistante.
A son tour, le processeur comprend en outre une interconnexion de mémoire servant à interconnecter le domaine principal et le domaine annexe avec une mémoire couplée à ce même processeur.
L'hyperviseur identifie des informations de disposition de domaine comprenant la limite de l'espace mémoire accessible qui correspond à chaque domaine.
La frontière de domaine entre le domaine de mémoire et l'un de ses domaines fixes adjacents peut ainsi être déplacée.
Une logique de contrôle de mémoire (22) est actionnée, en utilisant un domaine de puissance logique.
Ceci réduit les besoins en mémoire externe destinés à mettre en mémoire tampon les échantillons du domaine temporel.
La valeur de chaque domaine de mémoire peut être lue par l'application d'une tension à une jonction tunnel magnétique comportant le domaine de mémoire et par la mesure du courant circulant dans celle-ci.
Requêtes fréquentes anglais :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
Requêtes fréquentes français :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
Traduction Translation Traducción Übersetzung Tradução Traduzione Traducere Vertaling Tłumaczenie Mετάφραση Oversættelse Översättning Käännös Aistriúchán Traduzzjoni Prevajanje Vertimas Tõlge Preklad Fordítás Tulkojumi Превод Překlad Prijevod 翻訳 번역 翻译 Перевод