Une tension est appliquée simultanément à l'électrode de porte à diode (64), attirant ainsi certains des électrons à haute énergie à travers la couche d'isolation superposée dans l'électrode à grille flottante de la diode.
L'électrode de porte à diode (64) est reliée ohmiquement à l'électrode (44) à grille flottante du MOS, où quelques-uns des électrons sont stockés pour influer sur les caractéristiques de mise en tension et de mise hors tension du dispositif MOS.
Requêtes fréquentes anglais :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
Requêtes fréquentes français :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
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