Le détecteur à cristal semiconducteur comprend au moins une anode et au moins une cathode qui produit le signal en réaction aux photons émis.
Ce dernier comprend une première face de cristal qui vient en contact avec la solution et une deuxième face de cristal isolée du contact avec la solution.
L'invention concerne également un système de commande associé et un détecteur de cristaux piézoélectriques.
Le 30 août 1906 : Greenleaf Whittier Pickard a déposé un brevet pour un détecteur en cristal de silicium, qui fut approuvé le 20 novembre 1906 [2].
Le 30 août 1906 : Greenleaf Whittier Pickard a déposé un brevet pour un détecteur en cristal de silicium, qui fut approuvé le 20 novembre 1906 [2].
Le 30 août 1906 : Greenleaf Whittier Pickard a déposé un brevet pour un détecteur en cristal de silicium, qui fut approuvé le 20 novembre 1906[2].
Requêtes fréquentes anglais :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
Requêtes fréquentes français :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
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