L'appareil déplace la matrice de référence de la région de la matrice de référence avec la région de réception de la matrice afin d'être traitée par l'appareil.
Un faisceau de rayonnement de micro-ondes est dirigé vers la zone d'échantillon ionisée ou la zone de porteurs libres, et le rayonnement de micro-ondes est diffusé.
Cette zone de porteurs de charge est composée de zones de porteurs de charge partielles individuelles (32), séparées l'une par rapport à l'autre et reliées de manière conductrice.
La région de libération polymère peut être, par exemple, (a) une région porteuse qui comprend l'agent thérapeutique ou (b) une région barrière qui est disposée sur une région contenant un agent thérapeutique qui comprend l'agent thérapeutique.
La région de libération polymère peut être, par exemple, (A) une région excipient qui contient l'agent thérapeutique ou (B) une région barrière qui est disposée sur une région contenant un agent thérapeutique comprenant l'agent thérapeutique.
Un faisceau laser est focalisé sur une zone souhaitée dans un gaz, un plasma ou une matière (par ex., solide ou liquide) à analyser, d'où la génération d'une zone d'échantillon ionisée ou d'une zone localisée de porteurs libres excités.
L'invention concerne un transistor DMOS protégé contre les inversions de polarité.
Une zone de porteurs de charge (30) est prévue dans la zone de glissement (14) du transistor DMOS (10).
L'appareil déplace la matrice de référence de la région de la matrice de référence avec la région de réception de la matrice afin d'être traitée par l'appareil.
La région d'interception du courant d'interface entoure la région normale et la ou les régions de fourniture de porteurs et la région d'interception du courant d'interface et la ou les régions de fourniture de porteurs contiennent chacune des impuretés.
La région d'extraction de porteuses (110) est amenée en contact avec la tranchée (106) étant en contact avec la région d'extraction de porteuses (109) et est séparée de celle-ci (109).
La région de liaison est une région distincte de l'élément de support et est une phase séparée de l'élément de support.
Une région de corps de type P (51) est disposée dans la région d'enrichissement de porteurs (41).
Le support de capteur est disposé dans la région de réception.
La mobilité des porteurs de charge dans la première couche de zone active et/ou la seconde couche de zone active est supérieure à la mobilité des porteurs de charge dans le substrat.
Requêtes fréquentes anglais :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
Requêtes fréquentes français :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
Traduction Translation Traducción Übersetzung Tradução Traduzione Traducere Vertaling Tłumaczenie Mετάφραση Oversættelse Översättning Käännös Aistriúchán Traduzzjoni Prevajanje Vertimas Tõlge Preklad Fordítás Tulkojumi Превод Překlad Prijevod 翻訳 번역 翻译 Перевод