Ce ruban comporte une base faite d'une couche de base extérieure, une couche de base intermédiaire solidaire de la couche de base extérieure, et une couche de base intérieure solidaire de la couche de base intermédiaire.
Cette couche de surface rugueuse comporte une couche de base sur le matériau de base, et une couche de revêtement sur la couche de base.
Les données vidéo peuvent comprendre une couche de base et une couche d'amélioration, la couche de base comprenant un bloc de couche de base et la couche d'amélioration comprenant un bloc de couche d'amélioration.
Sur la couche de base, on construit une couche de base perdue, laquelle est enlevée de zones choisies de la couche de base afin d"y définir des pores à l"échelle nanométrique.
Le coussin comprend une couche de base et une couche fonctionnelle qui est incluse dans la couche de base.
Cette trace comprend un couche de base et un couche de couvercle placée sur une partie de la couche de base.
La couche de base comprend une unité de prédiction de couche de base colocalisée avec une unité de prédiction de couche d'amélioration présente dans la couche d'amélioration.
La couche externe maintient sur la couche de base le dépliant replié et l'enferme entre la couche de base et la couche externe.
Sur la couche de base, on construit une couche de base perdue, laquelle est enlevée de zones choisies de la couche de base afin d"y définir des pores à l"échelle nanométrique.
Elle concerne un transistor bipolaire à hétérojonction (10A) comprenant une couche de collecteur (16), une couche de base (18), qui contient une première couche de base (18A) et une deuxième couche de base (18B), et une couche d'émetteur (20).
L'invention concerne des dispositifs microfluidiques qui comprennent une couche de base rigide, et une couche d'élastomère sur la base.
Le procédé comprend la réunion d'une couche de base supérieure et d'une couche de base côté rouleau l'une à l'autre et la couture de la couche de base supérieure, un espace étant formé dans la couche de base côté rouleau.
La couche de base blanche constitue la couche se trouvant le plus à l'extérieur.
La couche de base blanche constitue la couche se trouvant le plus à l'extérieur.
Un plan base-collecteur se situe entre la couche de base et la couche de collecteur.
L'invention concerne un assemblage composite de diamant contenant une couche de base comprenant un diamant, une couche semiconductrice supérieure située sur la couche de base et une partie intermédiaire entre la couche de base et la couche supérieure.
La couche de base peut comprendre une unité de codage de couche de base colocalisée avec une première unité de codage de couche d'amélioration présente dans la couche d'amélioration.
Une couche par défaut peut être une couche de base ou une couche de renfort.
La structure composite pliable a une couche de base et une couche contenant du carbonate de calcium broyé recouvrant la couche de base.
Une électrode (12) de base est disposée sur une partie externe (6B) de la couche de base (6), et une électrode (11) collectrice est disposée sur la sous-couche (3) de collecteur.
Requêtes fréquentes anglais :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
Requêtes fréquentes français :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
Traduction Translation Traducción Übersetzung Tradução Traduzione Traducere Vertaling Tłumaczenie Mετάφραση Oversættelse Översättning Käännös Aistriúchán Traduzzjoni Prevajanje Vertimas Tõlge Preklad Fordítás Tulkojumi Превод Překlad Prijevod 翻訳 번역 翻译 Перевод