Dictionnaire anglais - français

direct

bandgap

sciences naturelles et appliquées - acta.es
Direct bandgap, single crystal semiconductor materials, such as GaAs, are commonly used in the array.

Une bande interdite directe, des matériaux semi-conducteurs monocristallins, tels que l'AsGa sont utilisés communément dans le réseau.

électronique et électrotechnique - wipo.int
CIGS possesses a high absorbance and a direct bandgap in addition to being stable under long-term illumination.

Le CIGS possède une absorption élevée et une bande interdite directe en plus d'être stable sous un éclairage à long terme.

général - CCMatrix (Wikipedia + CommonCrawl)
This can be accredited to its high electron mobility, its direct bandgap, and its well-handled growth mechanisms.

Cela peut être attribué à sa grande mobilité d'électrons, sa bande interdite directe et au bon contrôle de ses mécanismes de croissance.

général - CCMatrix (Wikipedia + CommonCrawl)
Gallium nitride is a binary III/V direct bandgap semiconductor used in light-emitting diodes since the 1990s.

Le nitrure de gallium est un alliage binaire de semi-conducteurs du groupe III/V à bande interdite directe qui s’utilise dans des diodes émettrices de lumière depuis les années 1990 (Wikipédia).

général - CCMatrix (Wikipedia + CommonCrawl)
This can be attributed to its high electron mobility, its direct bandgap and its well handled growth mechanisms.

Cela peut être attribué à sa grande mobilité d'électrons, sa bande interdite directe et au bon contrôle de ses mécanismes de croissance.

général - CCMatrix (Wikipedia + CommonCrawl)

bandgap

energy

électronique et électrotechnique - iate.europa.eu

bandgap

engineering

électronique et électrotechnique - iate.europa.eu
électronique et électrotechnique - iate.europa.eu

indirect

bandgap

sciences naturelles et appliquées - acta.es
The semiconductor material has an indirect bandgap.

Le matériau semi-conducteur présente une bande interdite indirecte.

électronique et électrotechnique - wipo.int
A light emitting device (10) comprises a body (12) of an indirect bandgap semiconductor material.

L'invention porte sur une DEL (10) comprenant un corps (12) d'un matériau semi-conducteur à bande interdite indirecte.

électronique et électrotechnique - wipo.int
Methods (600) and systems (100) for inspecting an indirect bandgap semiconductor structure (140) are described.

Procédés (600) et systèmes (100) permettant d’inspecter une structure semi-conductrice à bande interdite indirecte (140).

industrie mécanique - wipo.int
A light emitting device (10) comprises a first body (12) of an indirect bandgap semiconductor material.

L'invention porte sur un dispositif électroluminescent (10) qui comprend un premier corps (12) d'un matériau semi-conducteur à bande interdite indirecte.

électronique et électrotechnique - wipo.int
A light source (110) generates light (612) suitable for inducing photoluminescence in the indirect bandgap semiconductor structure (140).

Une source de lumière (110) génère une lumière (612) convenant à l’induction d’une photoluminescence dans la structure semi-conductrice à bande interdite indirecte (140).

industrie mécanique - wipo.int

direct

bandgap

semiconductor

électronique et électrotechnique - acta.es

wide

bandgap

semiconductor

électronique et électrotechnique - acta.es

indirect

bandgap

semiconductor

électronique et électrotechnique - acta.es

Publications scientifiques

Conception de contacts oxydes et de pérovskites à cations mixtes pour des cellules solaires hautement efficaces
... These great achievements are mainly attributed to the unique characteristics of perovskite materials, such as low cost, high photo-to-electric conversion efficiency, high light absorption properties, direct bandgap, high charge- carrier mobility and long electron-hole exciton transport distance (more than 1 µm)....
...Organometal trihalogénure perovskite cellules solaires (PSC) ont suscité intérêts académiques et commerciaux répandus en raison de rapide accroître l'efficacité, qui a stimulé de 3,8% 4 en 2009 à 20,1% 5 en 2014...
général - core.ac.uk -
Étude des propriétés optoélectroniques de monocouches atomiques de wse2
... The direct bandgap of these semiconductors is situated on the edge of the Brillouin zone, at the K-point....
général - core.ac.uk -
Caractérisation de l'interface isolant inp formé en oxydation plasma par l'étude des transitoires de capacité dlts et ddlts
...by a plasma bilayer technique has been studied with DLTS and DDLTS measurements in order to determine the energy distribution of the interface states in the upper part of the bandgap and the surface potential position as a function of the applied bias....
recherche et propriété intellectuelle / Europe - core.ac.uk -
Absorption à deux photons pour la détection infrarouge: une alternative aux schémas classiques de détection quantique
This work was focused on the investigation of non-degenerate two-photon absorption (ND-2PA) as a solution for detecting infrared photons in visible bandgap materials....
Europe / recherche et propriété intellectuelle / activité agricole - core.ac.uk - PDF: pastel.archives-ouvertes.fr
Broken-ring-based all-solid photonic bandgap fibersAbstract—The design of bandgap-engineered all-solid photonic bandgap fibers based on a broken-ring structure is investigated in detail....
général - core.ac.uk - PDF: ull.tju.edu.cn
Reduced sized cells for electromagnetic bandgap structuresElectromagnetic bandgap structures of simple squares are compared to convoluted and interleaved elements to reduce bandgap frequency for fixed periodicity....
communication - core.ac.uk - PDF: kar.kent.ac.uk
A low power bandgap voltage reference for low-dropout regulatorA low power Bandgap Voltage Reference (BGR) is designed to supply a voltage reference for a low voltage Low-Dropout Regulator (LDO)....
général - core.ac.uk - PDF: psasir.upm.edu.my
Prospects for the future of narrow bandgap materialsRecently there has been greatly expended interest in narrow bandgap materials....
général - core.ac.uk - PDF: authors.library.caltech.edu
All mos transistors bandgap reference using chopper stabilization technique...0.6-V, 8-??W bandgap reference without BJTs is realized in the standard CMOS 0.13??m...
général - core.ac.uk - PDF: ieeexplore.ieee.org

Traductions en contexte anglais - français

A start-up circuit is provided for a bandgap circuit, the bandgap circuit having at least one bandgap diode.

L'invention concerne un circuit de démarrage pour un circuit à bande interdite comportant au moins une diode à bande interdite.

industrie mécanique - wipo.int
An integrated circuit has an untrimmed bandgap generation circuit; and a bandgap generation circuit coupled to the untrimmed bandgap generation circuit.

L'invention concerne un circuit intégré doté d'un circuit de génération de bande interdite non compensée; et un circuit de génération de bande interdite couplé au circuit de génération de bande interdite non compensée.

industrie mécanique - wipo.int
The first bandgap region defines a first optical bandgap of the optical heterostructure.

La première zone de bande interdite définit une première bande optique interdite de l'hétérostructure optique.

sciences naturelles et appliquées - wipo.int
The second bandgap region defines a second optical bandgap of the optical heterostructure.

La seconde zone de bande interdite définit une seconde bande optique interdite de l'hétérostructure optique.

sciences naturelles et appliquées - wipo.int
A bandgap voltage reference circuit and methods for generating a bandgap reference voltage are disclosed.

L'invention concerne un circuit de référence de tension de bande interdite et des procédés de génération d'une tension de référence de bande interdite.

industrie mécanique - wipo.int
The bandgap reference generator receives a reference voltage input and generates a bandgap reference signal.

Le générateur de référence de bande interdite reçoit une tension de référence et produit un signal de référence de bande interdite.

industrie mécanique - wipo.int
A bandgap voltage reference circuit which provides a bandgap reference voltage without requiring a resistor.

L’invention concerne un circuit de tension de référence de bande interdite qui fournit une tension de référence de bande interdite sans nécessité de recourir à une résistance.

industrie mécanique - wipo.int
The invention discloses methods for making photonic bandgap structures and photonic bandgap structures made by those processes.

La présente invention porte sur des procédés de réalisation de structures de largeur de bande interdite photonique et des structures de largeur de bande interdite photonique réalisées par ces processus.

sciences naturelles et appliquées - wipo.int
The semiconductor substrate has a bandgap.

Le substrat semi-conducteur est une bande interdite.

électronique et électrotechnique - wipo.int
A photonic bandgap microcavity is provided.

L'invention concerne une microcavité à bande photonique.

sciences naturelles et appliquées - wipo.int
Electron injection is improved by an intermediate structure positioned between the wide bandgap material and the narrow bandgap material.

L'injection d'électrons est améliorée par une structure intermédiaire disposée entre le matériau à grande largeur de bande interdite et le matériau à faible largeur de bande interdite.

électronique et électrotechnique - wipo.int
A bandgap reference voltage generator (500).

L'invention porte sur un générateur de tension de référence de bande interdite (500).

industrie mécanique - wipo.int
The bandgap of the inner cell junction is constructed to be lower than the bandgap of the outer cell junction.

La bande interdite de la jonction de cellule interne est constituée pour être inférieure à la bande interdite de la jonction de cellule externe.

électronique et électrotechnique - wipo.int
The semiconductor layer has a bandgap at least approximately 0.2 electron Volts (eV) above the bandgap of the semiconductor substrate.

La couche semi-conductrice comprend une bande interdite d'au moins approximativement 0,2 électron-volt (eV) au-dessus de la bande interdite du substrat semi-conducteur.

électronique et électrotechnique - wipo.int
Each layer is configured so as to have a bandgap of predetermined width, the width of the bandgap of each layer being different from the width of the bandgap of the other layers.

Chaque couche est conçue de manière à présenter une bande interdite ayant une largeur prédéterminée, la largeur de la bande interdite de chaque couche étant différente de la largeur de la bande interdite des autres couches.

électronique et électrotechnique - wipo.int


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