Une bande interdite directe, des matériaux semi-conducteurs monocristallins, tels que l'AsGa sont utilisés communément dans le réseau.
Le CIGS possède une absorption élevée et une bande interdite directe en plus d'être stable sous un éclairage à long terme.
Cela peut être attribué à sa grande mobilité d'électrons, sa bande interdite directe et au bon contrôle de ses mécanismes de croissance.
Le nitrure de gallium est un alliage binaire de semi-conducteurs du groupe III/V à bande interdite directe qui s’utilise dans des diodes émettrices de lumière depuis les années 1990 (Wikipédia).
Cela peut être attribué à sa grande mobilité d'électrons, sa bande interdite directe et au bon contrôle de ses mécanismes de croissance.
Le matériau semi-conducteur présente une bande interdite indirecte.
L'invention porte sur une DEL (10) comprenant un corps (12) d'un matériau semi-conducteur à bande interdite indirecte.
Procédés (600) et systèmes (100) permettant d’inspecter une structure semi-conductrice à bande interdite indirecte (140).
L'invention porte sur un dispositif électroluminescent (10) qui comprend un premier corps (12) d'un matériau semi-conducteur à bande interdite indirecte.
Une source de lumière (110) génère une lumière (612) convenant à l’induction d’une photoluminescence dans la structure semi-conductrice à bande interdite indirecte (140).
L'invention concerne un circuit de démarrage pour un circuit à bande interdite comportant au moins une diode à bande interdite.
L'invention concerne un circuit intégré doté d'un circuit de génération de bande interdite non compensée; et un circuit de génération de bande interdite couplé au circuit de génération de bande interdite non compensée.
La première zone de bande interdite définit une première bande optique interdite de l'hétérostructure optique.
La seconde zone de bande interdite définit une seconde bande optique interdite de l'hétérostructure optique.
L'invention concerne un circuit de référence de tension de bande interdite et des procédés de génération d'une tension de référence de bande interdite.
Le générateur de référence de bande interdite reçoit une tension de référence et produit un signal de référence de bande interdite.
L’invention concerne un circuit de tension de référence de bande interdite qui fournit une tension de référence de bande interdite sans nécessité de recourir à une résistance.
La présente invention porte sur des procédés de réalisation de structures de largeur de bande interdite photonique et des structures de largeur de bande interdite photonique réalisées par ces processus.
Le substrat semi-conducteur est une bande interdite.
L'invention concerne une microcavité à bande photonique.
L'injection d'électrons est améliorée par une structure intermédiaire disposée entre le matériau à grande largeur de bande interdite et le matériau à faible largeur de bande interdite.
L'invention porte sur un générateur de tension de référence de bande interdite (500).
La bande interdite de la jonction de cellule interne est constituée pour être inférieure à la bande interdite de la jonction de cellule externe.
La couche semi-conductrice comprend une bande interdite d'au moins approximativement 0,2 électron-volt (eV) au-dessus de la bande interdite du substrat semi-conducteur.
Chaque couche est conçue de manière à présenter une bande interdite ayant une largeur prédéterminée, la largeur de la bande interdite de chaque couche étant différente de la largeur de la bande interdite des autres couches.
Requêtes fréquentes anglais :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
Requêtes fréquentes français :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
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