Le laser à semi-conducteur comprend une facette avant et une facette arrière qui définissent une cavité laser interne.
La terminaison de la facette arrière comporte une structure de rayonnement faisant que la lumière se dissipe avant de toucher la facette arrière.
La puce de gain porte un revêtement à forte réflexion (HRC) sur une facette arrière et un ARC sur une facette avant.
La facette réfléchissante est disposée de manière à recevoir la lumière directement depuis la facette d'émission arrière, et réfléchit la lumière hors du plan de la puce (3) vers une photodiode (4) agissant comme un moniteur de facette arrière.
La présente invention concerne une source de lumière comprenant un guide d'onde ayant un trajet optique qui s'étend longitudinalement entre une facette arrière et une facette d'émission.
L'invention concerne des réflexions sur l'arrière d'une facette que l'on peut sensiblement réduire au minimum dans un SLD incliné à guide d'ondes à stries.
Une extrémité du guide d'ondes se termine au niveau de la facette avant et l'autre extrémité se termine à proximité, mais pas nécessairement au niveau, de la facette arrière.
La diode laser (100) comprend une facette frontale (100) pour transmettre la lumière, et une facette arrière (114) pour surveiller la puissance optique émise par la diode laser.
Le réflecteur de lumière sélectif en longueur d'onde et la facette arrière définissent une cavité laser externe.
En outre, on peut déplacer un éventuel système de contrôle de puissance de face arrière pour en améliorer le niveau de sensibilité, grâce aux dimensions importantes de la surface de sortie et d'entrée.
L'invention concerne un laser dont la cavité résonante comprend une facette arrière d'un élément de gain à semi-conducteurs sous forme d'un miroir et un résonateur passif faisant partie d'un deuxième miroir.
On dépose une pile de matériaux (67) ayant différents indices de réfraction sur la facette arrière (65) de la diode laser pour induire un changement dans les pertes de miroir optique, aux longueurs d'onde supérieures.
Lorsque biréfringence est élevé, les rayons lumineux se reflètent sur les différentes parties de l’arrière d’une pierre provoquant un doublement apparent des facettes arrière lorsqu’il est vu à travers la facette avant.
Lorsque biréfringence est élevé, les rayons lumineux se reflètent sur les différentes parties de l’arrière d’une pierre provoquant un doublement apparent des facettes arrière lorsqu’il est vu à travers la facette avant.
La lumière d'émission spontanée à l'extérieur de la région de longueur d'onde de DBR peut être atténuée tel que par une région d'absorption dans le trajet optique, et/ou dirigée hors du guide d'onde par la facette arrière.
Requêtes fréquentes anglais :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
Requêtes fréquentes français :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
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