Deux types différents de sondes sont utilisés, une sonde sens conçue pour s'hybrider à un brin sens d'une séquence cible d'acides nucléiques et une sonde antisens conçue pour s'hybrider à un brin antisens de la séquence cible d'acides nucléiques.
Ledit complexe est détecté par l'ajout d'une seconde molécule d'acide nucléique qui est appropriée pour s'hybrider avec l'acide nucléique dudit conjugué.
La réaction de PCR en temps réel comporte une sonde marquée comprenant une séquence d'ARN qui est conçue pour s'hybrider aux séquences d'ADN au site du PNS.
L'invention fait intervenir deux produits d'amplification par polymérase, un produit témoins 'non altéré' et un produit échantillon, susceptible de contenir de l'ADN 'altéré', ces produits étant mélangés, dénaturés et laissés se ré-hybrider.
Un rayonnement électromagnétique est envoyé vers le substrat pour recuire une partie du substrat.
Des lasers sont utilisés à la fois pour augmenter la température de la pièce, et pour recuire la pièce par fusion laser.
En outre, les faisceaux laser sont balayés par rapport à la surface d’irradiation pour recuire la surface d’irradiation de manière homogène.
L'invention porte sur un réacteur pour recuire une pièce à travailler comprenant un matériau précurseur déposé sur un substrat souple.
Dans un autre mode de réalisation, un environnement de température élevée est utilisé pour recuire les dommages occasionnés à la nanostructure, lorsqu'est utilisée une implantation ionique d'énergie élevée.
Puisque ce processus fait recuire à seulement un intermédiaire, la zone de soudure, tandis qu'homogénéisée, est encore évidente.
Afin de lui conférer de bonnes propriétés électriques, il est primordial de précuire le substrat (18) dans l'oxygène du procédé de traitement thermique rapide et de lui faire subir un recuit sauf pour les précurseurs à haute teneur en bismuth.
L'invention porte sur un procédé qui permet de recuire des cristaux, des tranches, des couches et des films épitaxiques de nitrure de métal des groupes III-V afin de réduire les lacunes d'azote.
Les couches barrières peuvent être déposées selon des processus de dépôt par évaporation sous vide qui sont compatibles avec des processus utilisés pour déposer et recuire les films de phosphore.
La chambre supérieure agit en tant que cartouche de four tandis que la chambre inférieure sert à recuire les structures.
Le recuit est préférablement un recuit éclair ou un recuit par laser.
Un processus de recuit thermique est mis en oeuvre à une température de recuit thermique.
Dans un autre mode de réalisation de l'invention, l'étape de recuit thermique peut comprendre un recuit thermique rapide (RTA), un recuit au four, un recuit laser ou un recuit de pointe.
Dans un mode de réalisation, le premier recuit durant des millisecondes et le second recuit durant des millisecondes utilisent un laser (52).
Un recuit de pointe ou un recuit laser diffuse les dopants implantés dans le substrat IC.
Les impuretés sont ensuites diffusées dans les régions actives par des techniques classique telles que le recuit thermique rapide ou le recuit au four.
Le procédé de recuit de pointe est effectué sur le substrat à l'aide du dispositif de chauffage sélectionné et des variables sélectionnées du procédé de recuit de pointe.
Le recuit au laser peut être réalisé après la formation de contact, le métal de contact couplant l'énergie dans la couche enterrée pour le recuit.
Un processus de recuit thermique respectif est mis en oeuvre à une température de recuit thermique respective pour chacune des structures d'interconnexion d'essai.
Les impuretés se diffusent ensuite dans les régions actives et on utilise pour cela des techniques standards telles que le recuit thermique rapide ou le recuit au four.
Une étape de recuit convertit la polysilicone en siliciure.
Si la fabrication de ce circuit intégré comprend un recuit sous atmosphère inerte, alors on exécute le procédé de restauration par cycles de tension après cette étape de recuit.
Un recuit et un cuivrage autocatalytique sont effectués en même temps.
Les températures préférées de recuit sont égales à 400 °C ou plus.
Pendant un recuit, le dopant se diffuse jusqu'à la première profondeur.
Ces dopants peuvent ensuite être activés par chauffage du corps semi-conducteur pendant moins de 10 ms, par exemple, au moyen d'un recuit ultra-rapide ou d'un recuit laser.
Le recuit par radiation (36) peut être réalisé soit par balayage en utilisant un faisceau laser soit au moyen d'un outil à éclairs qui fournit le recuit à la totalité de la couche diélectrique simultanément.
L'invention porte également sur un procédé de fabrication de la tranche de recuit.
Un recuit à faible température et sans sélénisation à environ 100 °C peut également être effectué pour homogénéiser les précurseurs sur les substrats avant que le recuit de sélénisation à température modérée ne soit effectué.
Le recuit peut s’effectuer à une température d’environ 500 °C.
Requêtes fréquentes anglais :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
Requêtes fréquentes français :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
Traduction Translation Traducción Übersetzung Tradução Traduzione Traducere Vertaling Tłumaczenie Mετάφραση Oversættelse Översättning Käännös Aistriúchán Traduzzjoni Prevajanje Vertimas Tõlge Preklad Fordítás Tulkojumi Превод Překlad Prijevod 翻訳 번역 翻译 Перевод