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Publications scientifiques

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Effets de l'irradiation par des protons sur les propriétés du silicium

... The perturbation disappears

after etching

away of the region where the defects have been created, 10 μ from the surface (depth of penetration of the protons)....

... Elle disparaît si on enlève la région où ont été créés les défauts, située à 10 μ...

général - core.ac.uk -

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Gaussian beam profile and single transverse mode emission from previously multi-mode gain guided vcsels using novel etch... After etching, Gaussian beam profiles for the LPOI mode are achieved over the entire operating current range with greater than 16dB modal suppression....

général - core.ac.uk - PDF: proceedings.spiedigitallibrary.org

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Quality investigation of laser processed silicon wafer... Effect of the thickness of silicon wafer before and after etching, surface roughness and uniformity of the modified wafer are investigated, followed by kerf width, surface roughness of the holes and hole diameter of the wafer after...

général - core.ac.uk - PDF: eprints.utem.edu.my

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Silane influence on picn interfacial fracture toughness with resin cement... on Interfacial Fracture Toughness (IFT) of composite cement with two sub-classes of CAD-CAM composites, polymer-infiltrated ceramic network (PICN) and dispersed filler (DF), after etching or gritblasting....

général - core.ac.uk - PDF: orbi.uliege.be

Synonymes et termes associés anglais

engrave

•

biting

•

etching

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acid embossing

•

acid etching

Exemples anglais - français

etching

attaque (chimic)

industrie mécanique - lexique.mecaniqueindustrielle.com

gravure

électronique et électrotechnique / environnement - iate.europa.eu

attaque chimique

sciences naturelles et appliquées - techdico

[...]

gravure à l'eau forte

after

après

transports aérien et spatial - techdico

Traductions en contexte anglais - français

After etching

, the porous silicon is dried by supercritical drying.

Après l'attaque chimique, le silicium poreux est séché par un procédé de séchage surcritique.

bâtiment et travaux publics - wipo.int

After etching the ridge is hydrophobic and the substrate is hydrophilic.

Après gravure, la nervure est hydrophobe et le substrat est hydrophile.

électronique et électrotechnique - wipo.int

These etching products (25) are water soluble; therefore, directly after etching, the etched surfaces are brought into contact with a washing fluid and the etching products (25) are eliminated by dissolution.

Ces produits de gravure (25) sont solubles dans l'eau ; par conséquent, directement après gravure, les surfaces gravées sont amenées en contact avec un fluide de lavage et les produits de gravure (25) sont éliminés par dissolution.

électronique et électrotechnique - wipo.int

After etching, the pattern is transferred into the developer-soluble protective layer using a developer instead of etching required by previous methods.

Après la gravure, le motif est transféré dans la couche de protection soluble dans un révélateur en utilisant un révélateur au lieu de la gravure requise par les procédés connus.

électronique et électrotechnique - wipo.int

To obtain a pattern which has a good pattern shape after etching.

La présente invention vise à obtenir un motif qui possède une bonne forme de motif après gravure.

électronique et électrotechnique - wipo.int

A mask (34) on a carrier (32) is laminated and delaminated after etching.

Un masque (34) appliqué sur un support (32) est stratifié puis décollé par gravure.

communication - wipo.int

Deformations are artifacts which first show up after etching (chemical, physical, or also optical etching).

L'écrouissage est un artefact qui apparait après l'attaque (chimique, physique ou attaque optique également).

général - CCMatrix (Wikipedia + CommonCrawl)

Before the etching takes place, a protective film, comprising patterns corresponding to the electrodes in the network, is applied, said film being removed after etching.

Avant décapage, on applique un film de protection présentant des motifs correspondant aux électrodes du réseau, qu'on enlève après décapage.

métallurgie et sidérurgie - wipo.int

Nearly any angle can be machined into the wafer which remains after etching.

Presque tous les angles peuvent être usinés dans la plaquette restante après la gravure.

santé - wipo.int

The template is removed after etching the substrate, and can be used repeatedly.

Le gabarit est retiré après attaque chimique du substrat et peut être utilisé à plusieurs reprises.

électronique et électrotechnique - wipo.int

Therefore, the pattern after etching can be formed with a desired line width by etching the substrate by using the resist pattern as a mask.

Ainsi, le motif après attaque chimique peut être formé avec une largeur de trait désirée par attaque chimique du substrat en utilisant le motif de réserve comme masque.

électronique et électrotechnique - wipo.int

Deformations are artifacts which first show up after etching (chemical, physical or also optical etching).

L'écrouissage est un artefact qui apparait après l'attaque (chimique, physique ou attaque optique également).

général - CCMatrix (Wikipedia + CommonCrawl)

Nearly any bevel angle can be machined into the wafer which remains after etching.

Quasiment n'importe quel angle de biseau peut être usiné dans la plaquette restante après la gravure.

métallurgie et sidérurgie - wipo.int

After etching, a second conductor layer is deposited followed by a semiconductor layer stack.

Après la gravure, une seconde couche conductrice est déposée, suivie par un empilement de couches semi-conductrices.

informatique et traitement des données - wipo.int

After etching the structure may be heat-treated such that the amorphous layer crystallizes.

Après exécution de la gravure, on peut effectuer le traitement thermique de cette structure afin de cristalliser la couche amorphe.

électronique et électrotechnique - wipo.int

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Requêtes fréquentes anglais :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,

Requêtes fréquentes français :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,

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